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201611246505.1-一种基于碳化硅光纤F-P谐振腔的振动加速度传感装置

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申请人: 武汉理工大学申请日: 2016-12-29 主分类号: B81B3/00 公开号: 106672887B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01 分类号: B81B3/00 ; B81B7/00 ; B81B7/02

摘要: 本发明涉及光纤传感装置技术领域，具体指一种基于碳化硅光纤F‑P谐振腔的振动加速度传感装置；包括封装壳体、陶瓷基座、蓝宝石光纤和振动敏感片，陶瓷基座固设于封装壳体内，陶瓷基座的上端面上设有方形的固定凹槽，振动敏感片嵌设于固定凹槽的上端开口内；所述陶瓷基座的下端设有贯通固定凹槽的中心通孔，蓝宝石光纤穿设于中心通孔内且蓝宝石光纤的上端面与振动敏感片间隔设置构成光纤F‑P谐振腔；本发明结构合理，采用碳化硅基四悬臂结构的振动敏感片封装在氧化锆陶瓷基座上，与蓝宝石光纤端面间隔构成光纤F‑P谐振腔，可实现超高温环境下的振动或加速度检测，整体结构本征安全、测量范围大、测量精度高。

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201710253272.6-新型的电极结构和多功能传感器阵列及使用他们的多功能传感装置

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申请人: 北京纳米能源与系统研究所申请日: 2017-04-18 主分类号: B81B3/00 公开号: 108726466A 公开日: 2018-11-02 分类号: B81B3/00 ; B81B7/00 ; B81B7/02

摘要: 本发明提供了电极结构阵列、包括该电极结构阵列和传感器的多功能传感器阵列以及包括他们的各种传感装置。电极结构阵列包括第一电极层和第二电极层，第一电极层包括在该层内平铺的一个以上彼此平行的具有第一电极图案的绝缘基底和形成在该基底上的导电层，第一电极图案包括一个或多个能沿第一方向拉伸的第一可拉伸结构和一个或多个第一接线端，其中第一可拉伸结构与第一接线端交替相连，第二电极层包括在该层内平铺的一个以上彼此平行的具有第二电极图案的绝缘基底和形成在该基底上的导电层，第二电极图案包括一个或多个能沿第二方向拉伸的第二可拉伸结构和一个或多个第二接线端，其中第二可拉伸结构与第二接线端交替相连。

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02137780.4-由静电驱动大位移的微结构

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申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请日: 2002-11-01 主分类号: B81B5/00 公开号: 1405081A 公开日: 2003-03-26 授权日: 2005-01-26 分类号: B81B5/00 ; B81B7/00

摘要: 本发明提供一种静电驱动垂直方向大位移变形的微结构，属于光电子器件领域。它由A、B两个部分紧密结合而成。它由A、B两个部分紧密结合而成，A、B之间相互绝缘，A部上的组件有外框架、左右两个副悬臂梁、左右两个副质量块、主悬臂梁、主质量块；B部分上的组件有一个上层面、左右两个中层面、一个底层面、左右两个副电极、主电极以及左右两个阻挡块；通过不同高度的电极的共同作用，可以实现以较小的电压驱动质量块以较大的垂直方向上位移，并且只通过外围电极连线的改变，就可以实现质量块的多个位移的稳定状态。且可以按同样原理进行扩展，结构简单、制作工艺要求低，必将在光电子器件和微机械结构方法发挥重要的作用。

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201710682034.7-CMOS感测组件、CMOS单晶片及制造方法

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申请人: 风起科技股份有限公司

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申请日: 2016-05-13 主分类号: B81B3/00 公开号: 107973267A 公开日: 2018-05-01 分类号: B81B3/00 ; B81B7/02

摘要: 本发明公开了一种CMOS感测组件、CMOS单晶片及制造方法，本发明的CMOS单晶片，包含：可动薄膜、至少一支撑柱、基底金属层与电路集成；其中，可动薄膜配置于CMOS单晶片的顶面，具有多个穿孔；支撑柱配置于可动薄膜的下方，以提供可动薄膜支撑力；基底金属层形成于支撑柱之下，与支撑柱隔离并与可动薄膜面对以构成微型电容器以感测外界的感测信号；电路集成形成于基底金属层之下或形成于基底金属层下方及可动薄膜的旁侧，连接支撑柱与基底金属层，以供应可动薄膜、基底金属层所需的工作电压，并接收可动薄膜基底金属层所感测的感测信号，并转换为一输出信号。

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201811196917.8-一种微机械静电驱动的直线型梳齿结构

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申请人: 北京航天控制仪器研究所申请日: 2018-10-15 主分类号: B81B3/00 公开号: 109399549A 公开日: 2019-03-01 分类号: B81B3/00 ; B81B7/02

摘要: 一种微机械静电驱动的直线型梳齿结构，涉及微机械静电驱动技术领域；包括n组相同的直线形梳齿组；n组直线形梳齿组水平均匀分布在外部器件的水平侧壁上；每组直线形梳齿组包括静梳齿和动梳齿；静梳齿和动梳齿为交错配合的E型结构；在外部静电的驱动下；动梳齿沿外部器件的水平侧壁，相对静梳齿进行靠近或远离的直线运动；静梳齿与动梳齿配合时，第一动电极伸入第一定电极和第二定电极之间；第二动电极伸入第二定电极和第三定电极之间；第三动电极设置在第三定电极之间外侧；本发明实现了在于传统技术同样的真空环境和驱动电压下，得到更大的驱动行程，且未增加工艺难度。

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01122015.5-膜片的制造

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申请人: 兰道克斯实验有限公司

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申请日: 2001-06-22 主分类号: B81B3/00 公开号: 1330034A 公开日: 2002-01-09 授权日: 2005-12-07 分类号: B81B3/00 ; B81B7/00

摘要: 一种在圆片中蚀刻出空腔之后,利用精密磨削技术制造膜片的方法。公开了一种基于多孔硅牺牲层的使用,防止膜片变形的技术。

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200410020407.7-步进式全方位纳米移动平台

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申请人: 中国科学院沈阳自动化研究所申请日: 2004-04-16 主分类号: B81B3/00 公开号: 1683233A 公开日: 2005-10-19 授权日: 2008-05-14 分类号: B81B3/00 ; B81B5/00

摘要: 本发明涉及微器件装配技术，具体地说是一种用于微加工和生物细胞操作等的步进式全方位纳米移动平台。它由上平台，三组压电驱动器组成，上平台与三组压电驱动器通过弹性铰链连接，三组压电驱动器沿上平台圆周成120°等间隔布置；所述每组压电驱动器至少包括一个驱动单元，二个以上驱动单元为串联布置；所述每个驱动单元由二个压电陶瓷，一个横梁及一个接触元件组成，二个压电陶瓷上端与上平台用弹性铰链连接，下端与横梁固连，接触元件与横梁固连于下方；所述每个压电陶瓷接有控制电路，通过通讯电路与计算机进行无线通讯。采用本发明不仅可以实现平面全方位纳米运动，而且能提高机构的精度和灵活性。

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01137700.3-空化元晶格网

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申请人: 罗博生申请日: 2001-11-22 主分类号: B81B7/04 公开号: 1353082A 公开日: 2002-06-12 分类号: B81B7/04 ; B81B7/00

摘要: 本发明为一种具有微观晶格结构的网体,网体是由空化元构件,用连接件,按一定的晶格方式排列连接而成。由于空化元构件的空间特性,以及按晶格规律分布,在与其它材料合成时,形状制作简便,接触面大、牢固,结构受力分布均匀,强度高,以及空化质轻等,可用于材料复合、建筑、壳体合成等方面。

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201810325984.9-保护MEMS单元免受红外线检查的方法和MEMS单元

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申请人: 罗伯特·博世有限公司

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申请日: 2018-04-12 主分类号: B81B7/02 公开号: 108726472A 公开日: 2018-11-02 分类号: B81B7/00 ; B81B7/02

摘要: 提出一种用于保护MEMS单元免遭红外线检查的方法，其中至少一个层被装入到所述MEMS单元的结构中或者至少一个层被施加到所述MEMS单元的表面上。在此，通过所述至少一个层将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述层上的红外线光吸收、反射或漫散射。

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01141039.6-微型机械结构

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申请人: 诺基亚技术有限公司

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申请日: 2001-09-29 主分类号: B81B7/02 公开号: 1344670A 公开日: 2002-04-17 授权日: 2005-06-29 分类号: B81B7/02 ; B81B7/00

摘要: 本发明涉及包括可动元件的一种微型机械结构。具体地说,本发明涉及一种用于将这种可动元件与一种微电子机械系统(MEMS)的其他结构连接起来的结构。本发明的特征在于,该结构包括至少一个用于将该可动元件与固定结构连接起来的连接装置(930～936);和至少一个可允许在该可动元件与其他结构之间,在基本上与该可动元件的特征运动垂直的方向上的不同的热膨胀的挠性装置(980,990～996)。其特征还在于,所述连接装置和/或挠性装置,在该可动元件的特征运动方向上被增强。

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