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201020121428.9-用于微机电封装工艺的盖板

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申请人: 菱生精密工业股份有限公司

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申请日: 2010-02-12 主分类号: B81C3/00 公开号: 201626828U 公开日: 2010-11-10 授权日: 2010-11-10 分类号: B81C3/00 ; B81C99/00

摘要: 一种用于微机电封装工艺的盖板，具有多数个由该盖板的一下表面往该盖板的一上表面凹陷的容置槽，以及多数个由该上表面往该下表面凹陷的切割槽，该些切割槽可将该上表面划分成多数个分别对应于该些容置槽的区块；由此，不仅可减少封装工艺所需黏贴盖板的时间，且可使封装后切割该盖板的速度增快，避免切割后的盖板产生毛边。

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200510018220.8-一种用于圆片真空封装的夹具

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申请人: 华中科技大学申请日: 2005-01-28 主分类号: B81C3/00 公开号: 1644484A 公开日: 2005-07-27 授权日: 2006-10-04 分类号: B81C3/00 ; B81C5/00

摘要: 本发明公开了一种用于圆片真空封装的夹具，在托盘上装有二套或三套夹紧装置，每套夹紧装置由两个平行四杆机构组成，该机构的结构为，第一连杆通过第四销轴与第一从动杆的一端连接，第一连杆的一端通过第三销轴与第一主动杆的一端连接，在第一连杆的另一端固定第一压片，第一弹簧的两端分别接在第一主动杆的另一端及支座上，第一主动杆通过第一销轴接在支座上，第一从动杆的另一端通过第二销轴接在支座上，支座与托盘相固定。本发明定位精度高；采用平行四杆机构实现双稳态，使定位和夹紧更加合理，不易损坏MEMS器件；操作简单，既可实现自动化操作，也可手动操作；适用于真空环境下的MEMS器件的阳极键合、共晶键合等定位精度要求高的场合。

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02124907.5-微机电元件的晶圆级封装装置

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申请人: 神盾股份有限公司

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申请日: 2002-06-25 主分类号: B81C3/00 公开号: 1463911A 公开日: 2003-12-31 授权日: 2006-04-12 分类号: B81C3/00 ; B81C5/00

摘要: 本发明公开了一种微机电元件的晶圆级封装装置，其包括有一具微机电元件的晶圆以及一与其尺寸相同的封装晶圆底材，在封装晶圆底材之间设有许多金属导体柱，以导通封装晶圆底材的上下两面，再在金属导体柱两端形成有焊料凸块，使其与微机电元件晶圆上预定的焊料凸块粘合以形成一封装装置。本发明中微机电元件的晶圆级封装装置不仅在封装过程中使微机电元件不会受到外力的影响，而且由于其利用硅晶圆作为封装材料，从而除了整个装置具有良好的平坦度，并与晶片封装保持良好接触之外，更具有良好的热导特性，以便使封装后的模组具有较好的散热效应。

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201711362182.7-一种MEMS器件用多层结构硅片的制作方法

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申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所

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申请日: 2017-12-18 主分类号: B81C1/00 公开号: 107973269A 公开日: 2018-05-01 分类号: B81C1/00 ; B81C3/00

摘要: 本发明公开了一种MEMS器件用多层结构硅片的制作方法，多层结构硅片为背损伤层、低阻重掺器件层、高阻支撑层三层结构，其制作方法为：一、将低阻重掺硅化学腐蚀片背面进行损伤处理，制作背损伤层；二、将低阻重掺硅化学腐蚀片正面进行抛光；三、再将抛光后的低阻重掺硅化学腐蚀片正面与另一高阻硅抛光片直接键合；四、键合后进行热处理。由于背面经过损伤处理，硅片局部范围晶格变得不完整，应力场和应力集中点以及背损伤后的晶片在热处理时诱生的位错可以将器件区的有害杂质吸收并沉积，从而在器件层形成一定范围的洁净区，可在一定程度上减少由器件层有害杂质造成的键合界面缺陷的数量。

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200410066491.6-用掩膜和无掩膜技术一次成型原子力显微镜探针和悬臂梁

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申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请日: 2004-09-17 主分类号: B81C1/00 公开号: 1587024A 公开日: 2005-03-02 授权日: 2006-10-11 分类号: B81C1/00 ; B81C5/00

摘要: 本发明提供了一种利用掩膜－无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中，探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀，而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀，当探针针尖的直径达到预定值时，梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点。(1)制作工艺简单：仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺，对工艺设备要求较低、简便易行，降低了产品成本，提高了成品率；(2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面，与重掺杂自停止腐蚀形成的表面相比更平整，光反射率高；(3)以二氧化硅埋层为腐蚀自停止层，与重掺杂自停止方法相比，对梁厚度的控制更为精确。

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03130733.7-利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法

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申请人: 华新丽华股份有限公司

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申请日: 2003-05-13 主分类号: B81C3/00 公开号: 1548360A 公开日: 2004-11-24 授权日: 2006-09-27 分类号: B81C3/00 ; B81C1/00

摘要: 本发明是为一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其步骤包含提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。

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201810424106.2-一种微结构的制备方法

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申请人: 徐小女申请日: 2018-05-07 主分类号: B81C1/00 公开号: 108640081B 公开日: 2018-10-12 授权日: 2019-11-12 分类号: B81C1/00 ; B81C3/00

摘要: 本发明提供了一种微结构的制备方法，通过使用富氢材料形成的图形结构作为形成器件结构的模，并通过微波或激光加热，使得聚二甲基硅氧烷形成的微结构脱模变得容易，形成的微结构完整，并且通过表面改性达到较高的表面质量。

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200410013702.X-基于惯性－摩擦原理的球基微操作器

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申请人: 金猴集团有限公司

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申请日: 2004-04-20 主分类号: B81C3/00 公开号: 1562728A 公开日: 2005-01-12 授权日: 2006-05-17 分类号: B81C3/00 ; B81C5/00

摘要: 本发明公开一种高精度、微操作驱动装置——基于惯性—摩擦原理的球基微操作器。它由底座(10)、设置在底座(10)上并且向上方发散状沿伸的三根双极性压电堆陶瓷(2)、球体(1)和摩擦头(3)组成，球体(1)支承在三根双极性压电堆陶瓷(2)的上端内侧表面上，双极性压电堆陶瓷(2)上与球体(1)接触处固定有摩擦头(3)。它通过在双极性压电堆陶瓷(2)的电源端分别施加不同相位的锯齿波电压，能完成球体(1)绕其水平大圆内三个转动轴的旋转。在球体(1)的表面上固定微夹持器(4)等操作元件就能完成许多微操作。优点：1.结构简单，体积小。2.驱动机理新颖。3.两摩擦表面始终保持相切，金属球心稳定。4.具有通用性。5.分辨率高。6.驱动简单。7.具有较大的工作空间。

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200510016616.9-利用软刻技术构造非紧密堆积胶体球有序排列的方法

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申请人: 吉林大学申请日: 2005-03-09 主分类号: B81C3/00 公开号: 1654311A 公开日: 2005-08-17 授权日: 2006-11-29 分类号: B81C3/00 ; B81C1/00

摘要: 本发明涉及一种利用软刻技术构造非紧密堆积的胶体球有序排列的方法，特别是涉及一种利用软刻技术对胶体球的球间距、晶格结构进行精确控制的方法。包括有序胶体晶体、PDMS模板制备、揭起软光刻技术将二维胶体晶体转移到PDMS模板、涂有聚乙烯醇膜层基底的制备、非紧密堆积胶体球有序排列的形成五个步骤。其中通过将带有胶体球的PDMS模板放于甲苯摩尔含量为100％～0％的甲苯/丙酮混合溶液中溶胀，可以在聚乙烯醇膜层基底上形成表面平的或表面图案化的二维六方非紧密堆积的胶体球排列和非六方结构的二维胶体球排列。利用本发明方法制备的非紧密堆积的胶体球有序排列在光学、光子学、传感器和表面微构造等领域有着诱人的应用前景。

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200410055678.6-微机电器件及其形成方法

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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司

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申请日: 2004-08-02 主分类号: B81C1/00 公开号: 1603225A 公开日: 2005-04-06 授权日: 2011-05-04 分类号: B81C1/00 ; B81C5/00

摘要: 一种形成MEMS器件的方法包括在子结构(200)沉积传导材料(224)，在传导材料上形成第一牺牲层(230)，其中包括在第一形成层上形成大致平的表面(232)，并在第一牺牲层的大致平的平面上形成第一元件(141)，其中包括通过第一牺牲层第一元件与传导材料连通。另外，该方法还包括在第一元件上形成第二牺牲层(270)，包括形成第二牺牲层的大致平的表面(272)，在形成第二牺牲层之后，形成穿过第二牺牲层到第一元件的支承件(290)，其中包括填充支承件，并在支承件上形成第二元件(142)以及第二牺牲层的大致平的表面。因此，该方法还包括大致去除第一牺牲层和第二牺牲层，由此通过支承件相对于第一元件支承第二元件。

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