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01823833.5-纳米夹具及其制造方法
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申请人: 四国技术网络株式会社 ; 青井电子株式会社 申请日: 2001-11-29 主分类号: B82B1/00 公开号: 1558868A 公开日: 2004-12-29 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 本发明提供纳米夹具及其制造方法。该纳米夹具包括相对置的一对臂杆(71、71)和一对凸起部(72、72)，该凸起部分别形成在这一对臂杆(71、71)的尖端部上的对置面上，使尖端相对置，该凸起部(72)的尖端的曲率不大于50纳米。并且，上述凸起部(72)是硅的晶体，是顶点由(100)面、(001)面和(111)面构成的三角锥体形状。再者，设置了硅制的伸缩自如的一对热膨胀致动机构(75、76)，用于使上述一对臂杆(71、71)尖端部之间互相接近或分离。
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200510011806.1-一种FeSi纳米结构及其制备方法
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申请人: 清华大学 申请日: 2005-05-27 主分类号: B82B1/00 公开号: 1696049A 公开日: 2005-11-16 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 一种FeSi2纳米结构及其制备方法，属于微电子器件、纳米电子器件和光电子器件领域。其结构特征是FeSi2纳米带在硅(100)晶面上沿两个互相垂直的<110>方向生长，自组织形成网状纳米结构。其制备方法是利用矩形波导中TE10模微波在反应腔室内形成的特殊电磁场分布，以及硅基底与TE10模微波的特殊匹配方式，将沉积在硅基底上的铁纳米团簇进行磁化和磁力驱动，使其自组织排列生长，并进一步与硅基底反应，最终形成FeSi2纳米带和纳米结构。本发明可作为电连接材料用于自组织生长碳纳米管集成电路，或作为结构材料用于构筑各种MEMS器件和光电子器件等。
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200510013466.6-贵金属纳米管和制备方法及应用
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申请人: 南开大学 申请日: 2005-05-11 主分类号: B82B1/00 公开号: 1686782A 公开日: 2005-10-26 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 本发明涉及纳米技术领域，特别是一种贵金属纳米管和制备方法及应用。贵金属M为Ag、Pd、Pt、Ru或Pt－Pd，其纳米管的特点是：采用氧化铝模板法制得的贵金属纳米管具有开口管状结构，其长度可达60μm，外径约为180～220nm，管壁厚度3～10nm。纳米管的比表面积为120－200m2/g。由于过渡金属独特的d电子结构及纳米管具有大的比表面积和相对低的金属担载量，使得其在储氢、催化、燃料电池等领域有着广泛的应用前景，将极大地推动氢能和燃料电池的发展。
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201680072926.9-纳米结构材料的连续流动合成
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申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 ; 罗门哈斯电子材料有限责任公司 ; 伊利诺伊大学评议会 申请日: 2016-02-13 主分类号: B82B3/00 公开号: 109071210A 公开日: 2018-12-21 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 提供用于产生纳米结构材料的方法和系统。在一方面中，提供方法，所述方法包含a)在5秒或更短的时间内将一种或多种纳米结构材料试剂加热100℃或更高；和b)使所述纳米结构材料试剂反应以形成纳米结构材料反应产物。在另一方面中，提供方法，所述方法包含a)使包含一种或多种纳米结构材料试剂的流体组合物流过反应器系统；和b)使所述纳米结构材料试剂反应以形成包含Cd、In或Zn的纳米结构材料反应产物。在又一方面中，提供方法，所述方法包括使一种或多种纳米结构材料试剂流过第一反应单元；冷却已经流过所述第一反应单元的所述一种或多种纳米结构材料试剂或其反应产物；和将所述冷却的一种或多种纳米结构材料试剂或其反应产物流过第二反应单元。
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03127620.2-二维有序纳米环、纳米孔和纳米自组装单层膜的制备方法
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申请人: 吉林大学 申请日: 2003-07-05 主分类号: B82B1/00 公开号: 1483661A 公开日: 2004-03-24 授权日: 2005-11-09 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 本发明涉及一种制备二维有序纳米环，纳米孔和纳米自组装单层膜的方法。本发明采用双基片法在两个基片间制备由单分散聚合物微球或单分散二氧化硅微球组成的三维有序的胶体晶体。用一定浓度的无机或有机组分的溶液来填充双基片间胶体晶体内部的空隙，再挥发溶剂后，除去胶体晶体模板，便可在基底上得到二维有序纳米环，纳米孔和纳米自组装单层膜，在纳米有序表面的构造甚至在纳米器件的制备等方面都有重要的应用潜力。本发明中填充双基片间胶体晶体内部的空隙的组分可以是钛酸丁酯的醇溶液，聚乙烯醇的水溶液或聚苯乙烯的溶液，有机发光聚合物(PPV)溶液等相应的溶液，以及十八烷基三氯硅烷等有机硅烷的溶液。
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200410000405.1-纳米级高深宽比结构及其制作方法
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申请人: 财团法人工业技术研究院 申请日: 2004-01-12 主分类号: B82B3/00 公开号: 1640811A 公开日: 2005-07-20 授权日: 2009-04-08 分类号: B82B3/00 ; B82B1/00
摘要: 一种纳米级超高深宽比结构，其为由下述方法制造的结构：准备一基板、一导电层、一触媒层与一纳米管层所组成的母模结构，利用溅镀或化学气相沉积法将导电层与触媒层依序形成于基板上，前述触媒层定义需要形成纳米管的图案，即纳米管层仅形成于具有触媒层的区域上、并朝垂直于该基材的方向延伸一预定高度，其中，不需形成纳米管层的导电层区域是裸露的，以供作为进行后续电镀工艺的反应电极。当电镀完成后，将纳米管层与基材除去，即可得到高硬度且超高深宽比的微结构。
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201680082034.7-纳米发动机推进
不可售 审查中 PDF全文
申请人: 香港大学 申请日: 2016-12-15 主分类号: B82B3/00 公开号: 109071211A 公开日: 2018-12-21 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 提供了自推进的可编程纳米级发动机，其能够从吸收的光子中获取能量并经历随后的光电化学(PEC)反应。纳米发动机可以具有三维Janus配置并且可以感测光源的方向。通过用化学修饰控制纳米发动机的不同部分的ζ电势，可以将纳米发动机编程以显示正趋光性或负趋光性。
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01140305.5-一种分子隧道结及其制备技术
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申请人: 中国科学院化学研究所 申请日: 2001-12-03 主分类号: B82B1/00 公开号: 1422799A 公开日: 2003-06-11 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 一种分子隧道结具有“导体(或半导体)—有机(或无机)分子层—导体(或半导体)”夹层结构,其制备技术主要是:首先在毛细管一端利用毛细现象或加压注入的方法填充金属、半导体材料或导电聚合物,直接形成连续的金属、导电聚合物导线或半导体线,并作为一个电极；然后在毛细管内的金属端面上组装有机或无机分子层；最后利用上述同样的方法在毛细管另一端形成导线或半导体线作为另一电极,并将有机或无机分子层封闭在毛细管内。利用本发明不仅可对有机或无机分子的电性质实现稳定可靠的检测,而且可制得具有开关效应、非线性整流等特性的微/纳米器件。
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03127566.4-纳米线交叉结构的制备方法以及由该方法制得的结构的应用
不可售 无权失效 权利转移 PDF全文
申请人: 索尼德国有限责任公司 申请日: 2003-08-08 主分类号: B82B3/00 公开号: 1483662A 公开日: 2004-03-24 授权日: 2007-10-17 分类号: B82B3/00 ; B82B1/00
摘要: 本发明涉及纳米线交叉结构的制备方法，包括：(a)提供一基体；(b)在其上沉积包含具有等距的核酸－催化剂结合位置的核酸－嵌段共聚物和为特定地结合至共聚物核酸部分上而官能化的至少一个催化剂纳米颗粒的复合结构；(c)将定向气流和/或交变电场施加至复合结构上；和(d)应用化学气相沉积技术。所述结构的用途以及通过所述方法或获得的结构。
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03160233.9-一种无机半导体复合纳米级空心球及制备方法
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申请人: 中国科学院化学研究所 申请日: 2003-09-28 主分类号: B82B1/00 公开号: 1600674A 公开日: 2005-03-30 授权日: 2009-04-22 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00
摘要: 一种无机半导体复合纳米级空心球材料的制备方法，其特征在于通过将镉源溶液与钛源溶液直接混合并加热可以一步大规模合成半导体复合纳米级空心球。该技术不涉及可牺牲模板和不相溶液体相，并且不需要多步骤的复杂制备过程。利用本发明技术通过控制反应条件可以制备出粒径、壳层厚度、组成可控的半导体复合纳米级空心球。本发明技术可以拓展于合成其它的金属氧化物半导体与硫属化合物半导体复合的纳米级空心球，因而在纳米材料或其它科学领域具有巨大的潜在应用价值。
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