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申请人: 索尼德国有限责任公司

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申请日: 2003-08-08 主分类号: B82B3/00 公开号: 1483662A 公开日: 2004-03-24 授权日: 2007-10-17 分类号: B82B3/00 ; B82B1/00

摘要: 本发明涉及纳米线交叉结构的制备方法，包括：(a)提供一基体；(b)在其上沉积包含具有等距的核酸－催化剂结合位置的核酸－嵌段共聚物和为特定地结合至共聚物核酸部分上而官能化的至少一个催化剂纳米颗粒的复合结构；(c)将定向气流和/或交变电场施加至复合结构上；和(d)应用化学气相沉积技术。所述结构的用途以及通过所述方法或获得的结构。

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01140305.5-一种分子隧道结及其制备技术

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申请人: 中国科学院化学研究所申请日: 2001-12-03 主分类号: B82B1/00 公开号: 1422799A 公开日: 2003-06-11 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 一种分子隧道结具有“导体(或半导体)—有机(或无机)分子层—导体(或半导体)”夹层结构,其制备技术主要是:首先在毛细管一端利用毛细现象或加压注入的方法填充金属、半导体材料或导电聚合物,直接形成连续的金属、导电聚合物导线或半导体线,并作为一个电极；然后在毛细管内的金属端面上组装有机或无机分子层；最后利用上述同样的方法在毛细管另一端形成导线或半导体线作为另一电极,并将有机或无机分子层封闭在毛细管内。利用本发明不仅可对有机或无机分子的电性质实现稳定可靠的检测,而且可制得具有开关效应、非线性整流等特性的微/纳米器件。

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03127620.2-二维有序纳米环、纳米孔和纳米自组装单层膜的制备方法

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申请人: 吉林大学申请日: 2003-07-05 主分类号: B82B1/00 公开号: 1483661A 公开日: 2004-03-24 授权日: 2005-11-09 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 本发明涉及一种制备二维有序纳米环，纳米孔和纳米自组装单层膜的方法。本发明采用双基片法在两个基片间制备由单分散聚合物微球或单分散二氧化硅微球组成的三维有序的胶体晶体。用一定浓度的无机或有机组分的溶液来填充双基片间胶体晶体内部的空隙，再挥发溶剂后，除去胶体晶体模板，便可在基底上得到二维有序纳米环，纳米孔和纳米自组装单层膜，在纳米有序表面的构造甚至在纳米器件的制备等方面都有重要的应用潜力。本发明中填充双基片间胶体晶体内部的空隙的组分可以是钛酸丁酯的醇溶液，聚乙烯醇的水溶液或聚苯乙烯的溶液，有机发光聚合物(PPV)溶液等相应的溶液，以及十八烷基三氯硅烷等有机硅烷的溶液。

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200410000405.1-纳米级高深宽比结构及其制作方法

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申请人: 财团法人工业技术研究院申请日: 2004-01-12 主分类号: B82B3/00 公开号: 1640811A 公开日: 2005-07-20 授权日: 2009-04-08 分类号: B82B3/00 ; B82B1/00

摘要: 一种纳米级超高深宽比结构，其为由下述方法制造的结构：准备一基板、一导电层、一触媒层与一纳米管层所组成的母模结构，利用溅镀或化学气相沉积法将导电层与触媒层依序形成于基板上，前述触媒层定义需要形成纳米管的图案，即纳米管层仅形成于具有触媒层的区域上、并朝垂直于该基材的方向延伸一预定高度，其中，不需形成纳米管层的导电层区域是裸露的，以供作为进行后续电镀工艺的反应电极。当电镀完成后，将纳米管层与基材除去，即可得到高硬度且超高深宽比的微结构。

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201680082034.7-纳米发动机推进

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申请人: 香港大学申请日: 2016-12-15 主分类号: B82B3/00 公开号: 109071211B 公开日: 2018-12-21 授权日: 2021-01-19 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 提供了自推进的可编程纳米级发动机，其能够从吸收的光子中获取能量并经历随后的光电化学(PEC)反应。纳米发动机可以具有三维Janus配置并且可以感测光源的方向。通过用化学修饰控制纳米发动机的不同部分的ζ电势，可以将纳米发动机编程以显示正趋光性或负趋光性。

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03821070.3-含功能性分子纳米管结构体及其薄膜

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申请人: 学校法人东京药科大学申请日: 2003-09-05 主分类号: B82B1/00 公开号: 1678515A 公开日: 2005-10-05 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 本发明涉及在氧化物层中内包表面活性剂胶束的纳米管结构体中，使功能性分子含在纳米管内的纳米管结构体，对具有纳米尺寸细孔的物质着眼于在其制作过程中使用的表面活性剂的存在所赋予的疏水场，提供可开展功能性材料的新的技术手段。

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03160233.9-一种无机半导体复合纳米级空心球及制备方法

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申请人: 中国科学院化学研究所申请日: 2003-09-28 主分类号: B82B1/00 公开号: 1600674A 公开日: 2005-03-30 授权日: 2009-04-22 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 一种无机半导体复合纳米级空心球材料的制备方法，其特征在于通过将镉源溶液与钛源溶液直接混合并加热可以一步大规模合成半导体复合纳米级空心球。该技术不涉及可牺牲模板和不相溶液体相，并且不需要多步骤的复杂制备过程。利用本发明技术通过控制反应条件可以制备出粒径、壳层厚度、组成可控的半导体复合纳米级空心球。本发明技术可以拓展于合成其它的金属氧化物半导体与硫属化合物半导体复合的纳米级空心球，因而在纳米材料或其它科学领域具有巨大的潜在应用价值。

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03137253.8-纯银纳米管阵列及其制备方法

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申请人: 清华大学申请日: 2003-06-03 主分类号: B82B1/00 公开号: 1460634A 公开日: 2003-12-10 授权日: 2005-05-04 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 纯银纳米管阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银管阵列及制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气中，通过改变银离子导电薄膜RbAg4I5的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银管阵列；可以使制备的银管的长度达数微米以上，外径为百纳米量级、内径为几十纳米，且生长的方向是由直流电场方向控制的。本发明所制备的银管阵列可作为导线或器件应用于微电子学及光电子学领域中。

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200410089180.1-牺牲层腐蚀技术制造的带场效应管的纳米梁谐振器

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申请人: 浙江大学申请日: 2004-12-01 主分类号: B82B1/00 公开号: 1618727A 公开日: 2005-05-25 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 一种牺牲层腐蚀技术制造的带场效应管的纳米梁谐振器，包括纳米梁谐振器及其金属电极，纳米梁谐振器是在绝缘层上硅(SOI)材料上用牺牲层腐蚀技术制作出的纳米梁，并在纳米梁的两端掺杂硼或磷，使其形成P－i－P或N－i－N沟道结构，作为场效应管的沟道，底电极作为场效应管的栅电极。本发明制作工艺简单，与NEMS工艺兼容，又与静电驱动配合，实现纳米梁谐振器的结构、驱动及检测三者全集成。为纳米梁谐振器降低成本，推广应用范围起到很好的作用。

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02110772.6-基于扫描隧道显微技术的可逆分子电子器件及其制作方法

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申请人: 复旦大学申请日: 2002-02-05 主分类号: B82B1/00 公开号: 1445160A 公开日: 2003-10-01 授权日: 2005-06-15 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于扫描隧道显微技术的、电可逆的分子电子器件及其制作方法。这种分子电子器件由基底、有机分子层和探针构成。其中，基底采用原子级平整的导电表面，探针采用扫描隧道显微镜中的针尖，有机分子层为垂直取向的单分子层。有机分子采用长条形的、含有极性基团的π－共轭分子。这种分子电子器件能够用外加的正反向脉冲电压进行可逆转换，即可擦写，用很低的工作电压读出。本发明的分子电子器件可用作电可擦写的超高密度存贮器、分子开关以及逻辑元件等，在分子计算机中有广泛的应用价值。

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