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200410089180.1-牺牲层腐蚀技术制造的带场效应管的纳米梁谐振器

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申请人: 浙江大学申请日: 2004-12-01 主分类号: B82B1/00 公开号: 1618727A 公开日: 2005-05-25 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 一种牺牲层腐蚀技术制造的带场效应管的纳米梁谐振器，包括纳米梁谐振器及其金属电极，纳米梁谐振器是在绝缘层上硅(SOI)材料上用牺牲层腐蚀技术制作出的纳米梁，并在纳米梁的两端掺杂硼或磷，使其形成P－i－P或N－i－N沟道结构，作为场效应管的沟道，底电极作为场效应管的栅电极。本发明制作工艺简单，与NEMS工艺兼容，又与静电驱动配合，实现纳米梁谐振器的结构、驱动及检测三者全集成。为纳米梁谐振器降低成本，推广应用范围起到很好的作用。

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03821070.3-含功能性分子纳米管结构体及其薄膜

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申请人: 学校法人东京药科大学申请日: 2003-09-05 主分类号: B82B1/00 公开号: 1678515A 公开日: 2005-10-05 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 本发明涉及在氧化物层中内包表面活性剂胶束的纳米管结构体中，使功能性分子含在纳米管内的纳米管结构体，对具有纳米尺寸细孔的物质着眼于在其制作过程中使用的表面活性剂的存在所赋予的疏水场，提供可开展功能性材料的新的技术手段。

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200310122720.7-硅胶包覆的多金属含氧簇合物纳米粒子材料及其制备方法

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申请人: 华东师范大学申请日: 2003-12-19 主分类号: B82B1/00 公开号: 1554568A 公开日: 2004-12-15 授权日: 2008-12-10 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 硅胶包覆的多金属含氧簇合物纳米粒子材料及其制备方法，属无机化学材料及其制备技术领域。多金属含氧簇合物以纳米粒子的形式均匀包覆于硅胶中，纳米粒子的平均粒径为10nm。将硅酯与乙醇混合，加入酸，搅拌后加入事先制备好的多金属含氧簇合物的醚合物，搅拌至完全凝胶，水洗烘干，得相应的硅胶包覆的多金属含氧簇合物纳米粒子材料。该多金属含氧簇合物纳米粒子材料，比表面积大，催化活性高，反应中流失少，可重复利用。本发明的制备过程简单，易于操作，对设备要求低，产物纯度高。

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03160233.9-一种无机半导体复合纳米级空心球及制备方法

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申请人: 中国科学院化学研究所申请日: 2003-09-28 主分类号: B82B1/00 公开号: 1600674A 公开日: 2005-03-30 授权日: 2009-04-22 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 一种无机半导体复合纳米级空心球材料的制备方法，其特征在于通过将镉源溶液与钛源溶液直接混合并加热可以一步大规模合成半导体复合纳米级空心球。该技术不涉及可牺牲模板和不相溶液体相，并且不需要多步骤的复杂制备过程。利用本发明技术通过控制反应条件可以制备出粒径、壳层厚度、组成可控的半导体复合纳米级空心球。本发明技术可以拓展于合成其它的金属氧化物半导体与硫属化合物半导体复合的纳米级空心球，因而在纳米材料或其它科学领域具有巨大的潜在应用价值。

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03137253.8-纯银纳米管阵列及其制备方法

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申请人: 清华大学申请日: 2003-06-03 主分类号: B82B1/00 公开号: 1460634A 公开日: 2003-12-10 授权日: 2005-05-04 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 纯银纳米管阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银管阵列及制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气中，通过改变银离子导电薄膜RbAg4I5的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银管阵列；可以使制备的银管的长度达数微米以上，外径为百纳米量级、内径为几十纳米，且生长的方向是由直流电场方向控制的。本发明所制备的银管阵列可作为导线或器件应用于微电子学及光电子学领域中。

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02110772.6-基于扫描隧道显微技术的可逆分子电子器件及其制作方法

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申请人: 复旦大学申请日: 2002-02-05 主分类号: B82B1/00 公开号: 1445160A 公开日: 2003-10-01 授权日: 2005-06-15 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于扫描隧道显微技术的、电可逆的分子电子器件及其制作方法。这种分子电子器件由基底、有机分子层和探针构成。其中，基底采用原子级平整的导电表面，探针采用扫描隧道显微镜中的针尖，有机分子层为垂直取向的单分子层。有机分子采用长条形的、含有极性基团的π－共轭分子。这种分子电子器件能够用外加的正反向脉冲电压进行可逆转换，即可擦写，用很低的工作电压读出。本发明的分子电子器件可用作电可擦写的超高密度存贮器、分子开关以及逻辑元件等，在分子计算机中有广泛的应用价值。

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02814122.9-碳纳米角及其制造方法

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申请人: 日本电气株式会社申请日: 2002-07-15 主分类号: B82B1/00 公开号: 1527794A 公开日: 2004-09-08 授权日: 2006-05-24 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 碳纳米角，其在碳纳米角的周边或内部担载有含有碳以外的原子的粒状物质。

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200510013466.6-贵金属纳米管和制备方法及应用

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申请人: 南开大学申请日: 2005-05-11 主分类号: B82B1/00 公开号: 1686782A 公开日: 2005-10-26 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 本发明涉及纳米技术领域，特别是一种贵金属纳米管和制备方法及应用。贵金属M为Ag、Pd、Pt、Ru或Pt－Pd，其纳米管的特点是：采用氧化铝模板法制得的贵金属纳米管具有开口管状结构，其长度可达60μm，外径约为180～220nm，管壁厚度3～10nm。纳米管的比表面积为120－200m2/g。由于过渡金属独特的d电子结构及纳米管具有大的比表面积和相对低的金属担载量，使得其在储氢、催化、燃料电池等领域有着广泛的应用前景，将极大地推动氢能和燃料电池的发展。

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200510011806.1-一种FeSi纳米结构及其制备方法

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申请人: 清华大学申请日: 2005-05-27 主分类号: B82B1/00 公开号: 1696049A 公开日: 2005-11-16 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 一种FeSi2纳米结构及其制备方法，属于微电子器件、纳米电子器件和光电子器件领域。其结构特征是FeSi2纳米带在硅(100)晶面上沿两个互相垂直的<110>方向生长，自组织形成网状纳米结构。其制备方法是利用矩形波导中TE10模微波在反应腔室内形成的特殊电磁场分布，以及硅基底与TE10模微波的特殊匹配方式，将沉积在硅基底上的铁纳米团簇进行磁化和磁力驱动，使其自组织排列生长，并进一步与硅基底反应，最终形成FeSi2纳米带和纳米结构。本发明可作为电连接材料用于自组织生长碳纳米管集成电路，或作为结构材料用于构筑各种MEMS器件和光电子器件等。

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01823833.5-纳米夹具及其制造方法

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申请人: 四国技术网络株式会社 ; 青井电子株式会社申请日: 2001-11-29 主分类号: B82B1/00 公开号: 1558868A 公开日: 2004-12-29 分类号: B82B1/00 ; B82B3/00

摘要: 本发明提供纳米夹具及其制造方法。该纳米夹具包括相对置的一对臂杆(71、71)和一对凸起部(72、72)，该凸起部分别形成在这一对臂杆(71、71)的尖端部上的对置面上，使尖端相对置，该凸起部(72)的尖端的曲率不大于50纳米。并且，上述凸起部(72)是硅的晶体，是顶点由(100)面、(001)面和(111)面构成的三角锥体形状。再者，设置了硅制的伸缩自如的一对热膨胀致动机构(75、76)，用于使上述一对臂杆(71、71)尖端部之间互相接近或分离。

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