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搜索 “FLH:(C30B)” 共找到 24629 件专利

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200880000298.9-使用纳米结构模板制造单晶半导体材料
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申请人: 雷诺根公司 申请日: 2008-01-17 主分类号: C30B25/00 公开号: 101542024 公开日: 2009-09-23 分类号: C30B25/00 ; C30B25/02 ; C30B25/04 ; C30B25/18 ; C30B29/40 ; C30B29/48 ; C30B29/36 ; C30B29/16 ; C30B29/60
摘要: 一种制造单晶半导体材料的方法，其包括：提供模板材料；在所述模板材料之上制作掩模；使用所述掩模在所述模板材料中形成多个纳米结构；以及在纳米结构上生长单晶半导体材料。
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201120323538.8-一种用于铸造法生长硅晶体的热交换台
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申请人: 浙江碧晶科技有限公司 申请日: 2011-08-31 主分类号: C30B29/06 公开号: 202202019U 公开日: 2012-04-25 授权日: 2012-04-25 分类号: C30B11/00 ; C30B28/06 ; C30B29/06 ; C30B35/00
摘要: 本实用新型公开了一种用于铸造法生长硅晶体的热交换台，包括热交换台主体，在所述的热交换台主体的底面还连接有若干根散热杆。本实用新型的热交换台能有效提高坩埚内热量向底部耗散的能力，尤其是提高坩埚底部中央的热量耗散的效率，特别适合用于定向凝固法生长硅单晶。本实用新型的热交换台可通过散热杆很好地调节从坩埚底部热量流失的分布，结构简单而且容易加工。
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201820443257.8-一种具有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 天津工业大学 申请日: 2018-03-30 主分类号: C30B30/04 公开号: 208038591U 公开日: 2018-11-02 授权日: 2018-11-02 分类号: C30B29/40 ; C30B29/48 ; C30B29/52 ; C30B30/04
摘要: 本实用新型提供一种带有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉，包括磁场产生机构、垂直提升机构和炉体支撑机构；所述磁场产生机构由铁芯、三相导电绝缘线和绝缘保护壳组成；所述三相导电绝缘线与电源连接；所述电源产生电流，该电流在水平线圈内产生行波磁场。本实用新型通过在晶体生长炉内施加一个行波磁场，当行波磁场引起的洛伦兹力方向向下时，坩埚内锑铟镓的熔质在洛伦兹力作用传输下，会加速熔质的对流过程，熔池内的冷热区分布更加均匀。同时，使用方波电流发生器周期性地控制线圈中三相电流的相位移信号，有利于溶质的均匀分布，明显减弱宏观偏析，得到位错更低，晶体质量更好的锑铟镓晶锭。
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200920291111.7-硅棒拉制用子晶夹头部件
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 常州亿晶光电科技有限公司 申请日: 2009-12-23 主分类号: C30B29/06 公开号: 201627001U 公开日: 2010-11-10 授权日: 2010-11-10 分类号: C30B15/32 ; C30B28/10 ; C30B29/06 ; C30B35/00
摘要: 一种硅棒拉制用子晶夹头部件，子晶设有连接多棱锥台和提拉杆，连接多棱锥台的上台面大于下台面，提拉杆设置在下台面的下端面，在夹头设有多棱台孔，子晶的连接多棱锥台套装在夹头的多棱台孔中。子晶与夹头间通过多棱锥的轴、孔配合连接结构实现了扭力传递和轴向拉力承受，无需在子晶壁上磨制缺口，更不需要用固定销来连接，子晶上的提拉杆的截面积不会减小，从结构上消除子晶在拉制过程的断裂因素，既能解决子晶的断裂问题，又能实现子晶与子晶夹头的同步旋转。
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201610017216.8-一种单晶态超支化铂纳米胶体的制备方法
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申请人: 昆明理工大学 申请日: 2016-01-12 主分类号: C30B29/02 公开号: 105543956B 公开日: 2018-05-11 授权日: 2018-05-11 分类号: C30B29/02 ; C30B29/60 ; C30B5/00 ; C30B7/14
摘要: 本发明公开一种单晶态超支化结构铂纳米胶体的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明所述方法在常温下，将分散剂溶解在水中，边搅拌边加入铂前驱体盐，然后调节溶液的PH至1~3，常温下搅拌使溶液混合均匀得到溶液A，在搅拌过程中将溶液A冷却到‑20~‑10℃，然后将10~30g/L的还原剂加入溶液A中；加完后继续搅拌30~40min可制备得到单晶态超支化结构铂纳米胶体；本发明制备得到的单晶态超支化结构铂纳米胶体为单分散性且尺寸分布范围窄，粒度大小为纳米级（40~100nm）的纳米铂胶体，其形貌为均一的超支化球状结构，纳米级的粒子本身具有高比表面，但此类超支化结构的球形铂粉具有更高的比表面积，因此其性能要远远优于普通的球形铂粉。
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201710911736.8-一种SiC外延层的制备方法及装置
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申请人: 上海新昇半导体科技有限公司 申请日: 2017-09-29 主分类号: C30B25/08 公开号: 109576784A 公开日: 2019-04-05 分类号: C30B25/08 ; C30B25/14 ; C30B25/16 ; C30B25/20 ; C30B29/36
摘要: 本发明提供一种SiC外延层的制备方法及装置，其中制备方法包括以下步骤：提供一SiC衬底，并将SiC衬底放入一反应腔室中；向反应腔室通入反应气体及掺杂气体，使反应气体及掺杂气体吹向SiC衬底表面，且反应气体及掺杂气体的气流方向垂直于SiC衬底表面；加热SiC衬底，并采用化学气相沉积法在SiC衬底表面生长SiC外延层；采用光波监测系统监测正在生长的SiC外延层的掺杂浓度，并根据监测到的掺杂浓度控制通入的掺杂气体的气体流量。本发明将反应气体及掺杂气体垂直吹向SiC衬底表面，并可采用光波监测系统实时监测掺杂浓度，从而在所述SiC衬底表面获得厚度均匀性及掺杂浓度均匀性均较高的SiC外延层，实现对掺杂浓度的精确控制，获得高产率、高性能的SiC外延层。
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201711171580.0-一种一维二肽单晶及其在毛细管内的自组装制备方法和解组装方法
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申请人: 中国科学院化学研究所 申请日: 2017-11-22 主分类号: C30B29/54 公开号: 107974713B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2020-05-05 分类号: C30B29/54 ; C30B29/62 ; C30B7/04 ; C30B7/06
摘要: 本发明的目的是提供一种一维二肽单晶及其在毛细管内的自组装制备方法和解组装方法。本发明采用毛细管溶剂挥发诱导法，有效地实现了单向生长超长二肽单晶的制备。所用的毛细管可以提供一个有限的空间，随着溶剂从毛细管一端的挥发而造成二肽在管内的浓度梯度，二肽单晶得以持续的生长。采用此方法，不仅对晶体的成核位置、数量进行了有效限制，对二肽单晶的生长方向、长度以及数量也实现了控制。该二肽单晶被证实具有光传导性能。通过上述步骤获得的二肽单晶体，可以在毛细管中充满溶剂后实现解组装。
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201820894296.X-一种可提升拉速的单晶硅连续生产结晶的单晶炉
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申请人: 杞县东磁新能源有限公司 申请日: 2018-06-11 主分类号: C30B15/14 公开号: 208667897U 公开日: 2019-03-29 授权日: 2019-03-29 分类号: C30B15/02 ; C30B15/14 ; C30B29/06
摘要: 本实用新型属于单晶硅生产领域，旨在提供一种可提升拉速的单晶硅连续生产结晶的单晶炉，包括炉体，炉盖，二次加料装置，加热器，加热器与升降装置连接，加热器的外侧设有用于冷却融化后硅料的水冷管。通过调整石英坩埚和加热器相对位置，避免硅料熔化前期出现再次结晶风险，保证拉晶时，埚内液面处于高温区，这样拉晶时功耗会降低，进而可以降低氧含量，同时关闭加热开关并打开冷却开关使得电磁阀导通，进而使得炉体内部环境降温，即使得石英坩埚内的单晶硅料结晶，在加料前通过降温度让炉内硅料结晶，形成固体，加料时将固体硅料加到炉内的结晶固体上，从而达到避免硅料溅到其他部件上的风险，可实现连续生产结晶的目的。
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201820641205.1-铸锭炉热场结构
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申请人: 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 申请日: 2018-04-28 主分类号: C30B11/00 公开号: 208266301U 公开日: 2018-12-21 授权日: 2018-12-21 分类号: C30B11/00 ; C30B28/06 ; C30B29/06
摘要: 本实用新型公开了一种铸锭炉热场结构，用于铸锭晶体硅锭，包括：炉体；隔热笼体，设置在所述炉体的内部，其中，所述隔热笼体包括固定的上隔热笼，以及可相对上隔热笼升降的下隔热笼；可升降的隔热底板，与所述隔热笼体可形成密闭空间；热交换台，设置在所述隔热底板的上方；坩埚，放置在所述热交换台上；顶加热器，设置在所述坩埚的上方；侧加热器，设置在所述坩埚的外侧。上述铸锭炉热场结构中，隔热笼体分成固定的上隔热笼和可升降的下隔热笼，在长晶过程中，通过移动下隔热笼，使得侧部加热器上半部分的热量能够有效地散失，防止热应力的产生，从而能够更有效地控制晶体生长后的固液界面，更加精确地控制晶体生长周期以及晶体质量。
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201020534693.X-一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚
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申请人: 扬州华尔光电子材料有限公司 申请日: 2010-09-16 主分类号: C30B15/10 公开号: 201842894U 公开日: 2011-05-25 授权日: 2011-05-25 分类号: C30B11/00 ; C30B15/10 ; C30B29/06
摘要: 本实用新型公开了一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚，包括基体、中间过渡层、第二中间层和内表面涂层，所述基体的内壁设有中间过渡层，中间过渡层上设有第二中间层，第二中间层上设有内表面涂层。本实用新型是根据石英坩埚在使用过程中高温加热的步骤和煅烧时间的长短，采用具有不同热学性能的涂层材料在石英坩埚基体上分层次进行涂层，来提高石英坩埚的抗侵蚀能力，达到降低硅与石英坩埚反应强度的目的。
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