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搜索 “FLH:(C30B)” 共找到 22357 件专利

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200920291111.7-硅棒拉制用子晶夹头部件
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申请人: 常州亿晶光电科技有限公司 申请日: 2009-12-23 主分类号: C30B29/06 公开号: 201627001U 公开日: 2010-11-10 授权日: 2010-11-10 分类号: C30B15/32 ; C30B28/10 ; C30B29/06 ; C30B35/00
摘要: 一种硅棒拉制用子晶夹头部件，子晶设有连接多棱锥台和提拉杆，连接多棱锥台的上台面大于下台面，提拉杆设置在下台面的下端面，在夹头设有多棱台孔，子晶的连接多棱锥台套装在夹头的多棱台孔中。子晶与夹头间通过多棱锥的轴、孔配合连接结构实现了扭力传递和轴向拉力承受，无需在子晶壁上磨制缺口，更不需要用固定销来连接，子晶上的提拉杆的截面积不会减小，从结构上消除子晶在拉制过程的断裂因素，既能解决子晶的断裂问题，又能实现子晶与子晶夹头的同步旋转。
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201820443257.8-一种具有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉
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申请人: 天津工业大学 申请日: 2018-03-30 主分类号: C30B30/04 公开号: 208038591U 公开日: 2018-11-02 授权日: 2018-11-02 分类号: C30B29/40 ; C30B29/48 ; C30B29/52 ; C30B30/04
摘要: 本实用新型提供一种带有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉，包括磁场产生机构、垂直提升机构和炉体支撑机构；所述磁场产生机构由铁芯、三相导电绝缘线和绝缘保护壳组成；所述三相导电绝缘线与电源连接；所述电源产生电流，该电流在水平线圈内产生行波磁场。本实用新型通过在晶体生长炉内施加一个行波磁场，当行波磁场引起的洛伦兹力方向向下时，坩埚内锑铟镓的熔质在洛伦兹力作用传输下，会加速熔质的对流过程，熔池内的冷热区分布更加均匀。同时，使用方波电流发生器周期性地控制线圈中三相电流的相位移信号，有利于溶质的均匀分布，明显减弱宏观偏析，得到位错更低，晶体质量更好的锑铟镓晶锭。
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201120323538.8-一种用于铸造法生长硅晶体的热交换台
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申请人: 浙江碧晶科技有限公司 申请日: 2011-08-31 主分类号: C30B29/06 公开号: 202202019U 公开日: 2012-04-25 授权日: 2012-04-25 分类号: C30B11/00 ; C30B28/06 ; C30B29/06 ; C30B35/00
摘要: 本实用新型公开了一种用于铸造法生长硅晶体的热交换台，包括热交换台主体，在所述的热交换台主体的底面还连接有若干根散热杆。本实用新型的热交换台能有效提高坩埚内热量向底部耗散的能力，尤其是提高坩埚底部中央的热量耗散的效率，特别适合用于定向凝固法生长硅单晶。本实用新型的热交换台可通过散热杆很好地调节从坩埚底部热量流失的分布，结构简单而且容易加工。
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200880000298.9-使用纳米结构模板制造单晶半导体材料
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申请人: 雷诺根公司 申请日: 2008-01-17 主分类号: C30B25/00 公开号: 101542024 公开日: 2009-09-23 分类号: C30B25/00 ; C30B25/02 ; C30B25/04 ; C30B25/18 ; C30B29/40 ; C30B29/48 ; C30B29/36 ; C30B29/16 ; C30B29/60
摘要: 一种制造单晶半导体材料的方法，其包括：提供模板材料；在所述模板材料之上制作掩模；使用所述掩模在所述模板材料中形成多个纳米结构；以及在纳米结构上生长单晶半导体材料。
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201820641205.1-铸锭炉热场结构
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申请人: 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 申请日: 2018-04-28 主分类号: C30B11/00 公开号: 208266301U 公开日: 2018-12-21 授权日: 2018-12-21 分类号: C30B11/00 ; C30B28/06 ; C30B29/06
摘要: 本实用新型公开了一种铸锭炉热场结构，用于铸锭晶体硅锭，包括：炉体；隔热笼体，设置在所述炉体的内部，其中，所述隔热笼体包括固定的上隔热笼，以及可相对上隔热笼升降的下隔热笼；可升降的隔热底板，与所述隔热笼体可形成密闭空间；热交换台，设置在所述隔热底板的上方；坩埚，放置在所述热交换台上；顶加热器，设置在所述坩埚的上方；侧加热器，设置在所述坩埚的外侧。上述铸锭炉热场结构中，隔热笼体分成固定的上隔热笼和可升降的下隔热笼，在长晶过程中，通过移动下隔热笼，使得侧部加热器上半部分的热量能够有效地散失，防止热应力的产生，从而能够更有效地控制晶体生长后的固液界面，更加精确地控制晶体生长周期以及晶体质量。
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201820894296.X-一种可提升拉速的单晶硅连续生产结晶的单晶炉
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申请人: 杞县东磁新能源有限公司 申请日: 2018-06-11 主分类号: C30B15/14 公开号: 208667897U 公开日: 2019-03-29 授权日: 2019-03-29 分类号: C30B15/02 ; C30B15/14 ; C30B29/06
摘要: 本实用新型属于单晶硅生产领域，旨在提供一种可提升拉速的单晶硅连续生产结晶的单晶炉，包括炉体，炉盖，二次加料装置，加热器，加热器与升降装置连接，加热器的外侧设有用于冷却融化后硅料的水冷管。通过调整石英坩埚和加热器相对位置，避免硅料熔化前期出现再次结晶风险，保证拉晶时，埚内液面处于高温区，这样拉晶时功耗会降低，进而可以降低氧含量，同时关闭加热开关并打开冷却开关使得电磁阀导通，进而使得炉体内部环境降温，即使得石英坩埚内的单晶硅料结晶，在加料前通过降温度让炉内硅料结晶，形成固体，加料时将固体硅料加到炉内的结晶固体上，从而达到避免硅料溅到其他部件上的风险，可实现连续生产结晶的目的。
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201020176725.3-热屏和具有其的铸锭炉
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申请人: 王敬 申请日: 2010-04-27 主分类号: C30B35/00 公开号: 201695108U 公开日: 2011-01-05 授权日: 2011-01-05 分类号: C30B28/06 ; C30B29/06 ; C30B35/00
摘要: 本实用新型公开了一种热屏，包括：碳-碳复合材料基体；和至少一个热反射材料板，所述热反射材料板位于所述碳-碳复合材料基体之下，且与所述碳-碳复合材料基体相互连接，所述热反射材料板的材料选择成、对入射到所述热反射材料板上的热量的反射量大于将所述热量入射到碳-碳复合材料上时的反射量。通过本实用新型实施例在热屏中增加的一个或多个高热反射材料板可以将辐射到热屏的热量再有效地反射回到硅熔体，从而在一定程度上解决热量浪费的问题，降低热功耗。本实用新型进一步公开了具有所述热屏的铸锭炉。
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201721331480.5-单向抽拉四向移动的底保温抽拉装置
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申请人: 镇江环太硅科技有限公司 申请日: 2017-10-16 主分类号: C30B28/06 公开号: 207276780U 公开日: 2018-04-27 授权日: 2018-04-27 分类号: C30B11/00 ; C30B28/06 ; C30B29/06
摘要: 本实用新型公开了一种单向抽拉四向移动的底保温抽拉装置，涉及光伏设备铸锭,包括支撑柱，两条导轨，前、后抽拉板，左、右抽拉板和保温层，导轨平行设置且各设有两个支撑孔，支撑柱设于支撑孔内且对称，导轨相邻一侧设有左右轨道，导轨中央设有前后轨道，前后轨道垂直于左右轨道，左抽拉板和右抽拉板滑动连接在左右轨道内，左抽拉板和右抽拉板上设有“八”字型斜轨道，前抽拉板和后抽拉板的底部设有与“八”字型斜轨道配合的“八”字型斜滑轨以及与前后轨道配合的前后滑轨，保温层设置在前抽拉板、后抽拉板、左抽拉板和右抽拉板上。该装置保证了底部散热的均匀性，减少了电机的使用数量，节约了能源。
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201020195636.3-一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼
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申请人: 杭州志在材料科技有限公司 ; 晶海洋半导体材料（东海）有限公司 申请日: 2010-05-19 主分类号: C30B29/06 公开号: 201695105U 公开日: 2011-01-05 授权日: 2011-01-05 分类号: C30B28/06 ; C30B29/06 ; C30B35/00
摘要: 本实用新型提供了一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼，属于晶体硅铸锭炉技术领域。它解决了现有的多晶硅铸锭炉在制备时存在硅液内部温度梯度过小，造成籽晶在尚未熔化和完全熔化之间的时间很短，难以控制最终结果的问题。本次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼，在隔热笼内壁设有将隔热笼分隔成上腔室和下腔室的环形挡块，环形挡块的中间连通上下两个腔室。本实用新型能够延长了籽晶在尚未熔化和完全熔化之间的时间，并且降低工艺难度，使得次单晶硅铸锭炉能够生产出品质接近单晶的次单晶硅。
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201020534693.X-一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚
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申请人: 扬州华尔光电子材料有限公司 申请日: 2010-09-16 主分类号: C30B15/10 公开号: 201842894U 公开日: 2011-05-25 授权日: 2011-05-25 分类号: C30B11/00 ; C30B15/10 ; C30B29/06
摘要: 本实用新型公开了一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚，包括基体、中间过渡层、第二中间层和内表面涂层，所述基体的内壁设有中间过渡层，中间过渡层上设有第二中间层，第二中间层上设有内表面涂层。本实用新型是根据石英坩埚在使用过程中高温加热的步骤和煅烧时间的长短，采用具有不同热学性能的涂层材料在石英坩埚基体上分层次进行涂层，来提高石英坩埚的抗侵蚀能力，达到降低硅与石英坩埚反应强度的目的。
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