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搜索 “FLH:(H01L)” 共找到 433338 件专利

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201720646865.4-一种直接板上芯片的LED封装结构
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申请人: 南昌大学 ; 南昌黄绿照明有限公司 申请日: 2017-06-06 主分类号: H01L25/075 公开号: 207367968U 公开日: 2018-05-15 授权日: 2018-05-15 分类号: H01L25/075 ; H01L33/00 ; H01L33/48 ; H01L33/54 ; H01L33/56 ; H01L33/58 ; H01L33/62 ; H01L33/64
摘要: 本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率，结构紧凑，光源尺寸小。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻，从而散热能力更好，结温更低，可靠性更高。本实用新型专利解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。
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201721904369.0-一种IGBT器件
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 安徽赛腾微电子有限公司 申请日: 2017-12-29 主分类号: H01L29/06 公开号: 207966999U 公开日: 2018-10-12 授权日: 2018-10-12 分类号: H01L21/28 ; H01L21/331 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/739
摘要: 本实用新型揭示了一种IGBT器件，半导体基板中心区设有元胞区，半导体基板的第一主面设有包围环绕元胞区的终端保护区，半导体基板的第二主面上方设有第二导电类型集电极区，第二导电类型集电极区的上方设有第一导电类型场终止层，元胞区内的元胞设有沟槽结构，元胞沟槽由第一主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的第一导电类型外延层内，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽内壁之间设有绝缘栅氧化层。本实用新型延长了沟道长度，降低了饱和电流，从而提高了Tsc，增加了短路电流安全工作区，此外，本实用新型沟槽下方采用超结结构，可以降低漂移区电阻率，从而降低Vce。同时在器件关断时，因超结结构可以加速载流子抽取速度，从而降低Eoff。
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201790000502.1-传感器封装
不可售 已下证 PDF全文
申请人: NEPES株式会社 申请日: 2017-01-24 主分类号: H01L25/07 公开号: 208767298U 公开日: 2019-04-19 授权日: 2019-04-19 分类号: H01L23/31 ; H01L23/48 ; H01L23/495 ; H01L23/522 ; H01L23/538 ; H01L25/07 ; H01L25/11
摘要: 本实用新型公开一种传感器封装及其制造方法。根据本实用新型的一实施例的传感器封装包括：半导体芯片，包含暴露在外部的传感器图案；基板，包含容纳所述半导体芯片的容纳部；包封材料，以使所述半导体芯片和所述基板一体化的方式塑封；贯穿布线，在上下方向贯穿所述基板；布线部，使所述半导体芯片和所述贯穿布线电连接，并使所述半导体芯片的所述传感器图案暴露；及外部连接部，与所述贯穿布线的另一侧电连接，且能够与外部电连接。
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201821266485.9-一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 上海和辉光电有限公司 申请日: 2018-08-07 主分类号: H01L51/50 公开号: 208722924U 公开日: 2019-04-09 授权日: 2019-04-09 分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/46 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/54
摘要: 本实用新型公开了一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件，其特征在于，所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极，在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间设置阻挡层，所述阻挡层的厚度为本实用新型通过在阴极和电子注入层/电子传输层之间设置合适厚度的阻挡层，可以达到阻挡Ag迁移的目的，提升器件的效率以及信赖性。
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200920245017.8-有机光电器件
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 彩虹集团公司 申请日: 2009-10-30 主分类号: H01L51/50 公开号: 201629351U 公开日: 2010-11-10 授权日: 2010-11-10 分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/48 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/56
摘要: 本实用新型提供了一种有机光电器件，至少包括阴极、围绕阴极外周的有机功能层，以及围绕在有机功能层外围的阳极，其中所述的阴极为柔性导电纤维状金属材料，阳极为带有透明导电金属氧化物的柔性基底，因此，阴极和阳极具有良好的柔韧性和可加工性，因此，其制得的产品可以做成任意不规则形状，以此满足特殊场合的需求。
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201821009122.7-一种高青光LED发光组件及照明设备
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 朗昭创新控股（深圳）有限公司 申请日: 2018-06-27 主分类号: H01L33/48 公开号: 208674162U 公开日: 2019-03-29 授权日: 2019-03-29 分类号: H01L25/075 ; H01L33/48 ; H01L33/50 ; H01L33/60 ; H01L33/62
摘要: 本实用新型提供一种高青光LED发光组件，包括设置有电连接结构的载体，设置于载体上的至少一组发光结构以及反射杯，反射杯中设有封装胶体；发光结构包括白光发光体和红光发光体，白光发光体至少包括蓝光芯片以及覆盖蓝光芯片的荧光膜或者磷光膜，红光发光体至少包括红光芯片；红光与白光混合获得近自然光；近自然光中的青色光的相对光谱功率大于0.30；蓝色光的相对光谱功率小于0.75。本光源通过两种发光体结合的结构获得青光比例较高的LED光源，其青光的提升使得显色指数得以提升，改善了显色能力；同时也降低了蓝光，有利于保护视力，减少由于蓝光过高导致的健康问题。
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201721909045.6-裸眼立体LED显示屏
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申请人: 深圳市三笠恒盈科技有限公司 申请日: 2017-12-29 主分类号: H01L25/075 公开号: 208690255U 公开日: 2019-04-02 授权日: 2019-04-02 分类号: H01L25/075 ; H01L33/48 ; H01L33/52 ; H01L33/58 ; H01L33/62
摘要: 本实用新型涉及一种裸眼立体LED显示屏，包括多个矩阵排列的柱状发光单元(100)，所述柱状发光单元(100)包括柱面透镜(1011)和封装结构，所述封装结构包括：封装材料(1021)、引脚(1022)和第一发光芯片(1023)和第二发光芯片(1024)，其中，所述柱面透镜设置于所述封装结构出光面侧，所述第一发光芯片和第二发光芯片均位于所述封装材料内并分别与第一引脚和第二引脚相连，第一发光芯片和第二发光芯片均为四色LED单芯片。本实用新型实施例本实用新型通过采用四色LED发光芯片提高整个裸眼立体LED显示屏的色域且提高了分辨率。
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201821221557.8-一种盘型COB集成LED
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申请人: 珠海市圣大光电有限公司 申请日: 2018-07-26 主分类号: H01L33/48 公开号: 208589466U 公开日: 2019-03-08 授权日: 2019-03-08 分类号: H01L25/075 ; H01L33/48 ; H01L33/50 ; H01L33/62 ; H01L33/64
摘要: 本实用新型公开了一种盘型COB集成LED，包括陶瓷基板以及安装于陶瓷基板上的发光组件，所述陶瓷基板为盘体，所述陶瓷基板上设有引脚，所述发光组件包括多个倒装芯片和金线，倒装芯片通过金线与引脚连接，所述倒装芯片上涂覆有荧光涂层。本LED，采用盘型COB封装，将多个倒装芯片安装于陶瓷基板上，倒装芯片通过金线与陶瓷基板上的引脚连接，荧光涂层涂覆于倒装芯片上，多个倒装芯片组成大功率LED最后形成的光斑均匀，亮度高，光色一致性好，倒装芯片的结构形式热阻低，且陶瓷基板本身具有高辐射率特性，可快速将芯片产生的热量散发出去。
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201821641907.6-待涂布电磁屏蔽胶的Sip模组及其涂布装置
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申请人: 环维电子（上海）有限公司 申请日: 2018-10-10 主分类号: H01L21/50 公开号: 208706582U 公开日: 2019-04-05 授权日: 2019-04-05 分类号: H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L21/67 ; H01L23/31 ; H01L23/552
摘要: 本实用新型公开了一种待涂布电磁屏蔽胶的Sip模组及其涂布装置，待涂布电磁屏蔽胶的SiP模组包括基板、多个电子元件及塑封层，基板包括支撑层、导电层和绝缘层，在绝缘层内设有间隔导电端和边缘导电端，两种导电端的下端面与导电层连接，上端面与基板的上端面齐平；电子元件焊接在基板上表面，有抗电磁干扰要求的电子元件单独布设于间隔导电端一侧；塑封层包覆电子元件；塑封层内开设有自上而下贯通塑封层的间隔屏蔽槽和共型屏蔽槽，通过真空涂布方式向间隔屏蔽槽和共型屏蔽槽内填充屏蔽胶。本实用新型的SiP模组制作方法可以同时设置间隔屏蔽层和共型屏蔽层，且涂布装置简单，制作成本低，制作工艺少，可以节省胶料，降低产品造价。
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201821429898.4-一种低压大电流功率VDMOS
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申请人: 江苏丽隽功率半导体有限公司 申请日: 2018-08-31 主分类号: H01L29/06 公开号: 208674123U 公开日: 2019-03-29 授权日: 2019-03-29 分类号: H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/423 ; H01L29/51 ; H01L29/78
摘要: 本实用新型公开了一种低压大电流功率VDMOS，属于半导体器件领域。该低压大电流功率VDMOS，包括衬底、在衬底之上的外延层、在外延层之上的氧化层、在外延层和氧化层之间的P型半导体层和N型半导体层、在氧化层之上的绝缘层、在绝缘层之上的第一金属层、在第一金属层之上的氮化硅钝化层；沟槽贯穿P型半导体层和N型半导体层，沟槽的底部在外延层，沟槽内生长有一层氧化层，沟槽内的氧化层上淀积有多晶硅栅；接触孔贯穿绝缘层、氧化层和N型半导体层，接触孔的一部分在P型半导体层，接触孔的下方为浓P型半导体区，接触孔内为第二金属；具有导通电阻低、电流处理能力强、性能稳定、可靠性高等特点。
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