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201720646865.4-一种直接板上芯片的LED封装结构

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申请人: 南昌大学 ; 南昌黄绿照明有限公司

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申请日: 2017-06-06 主分类号: H01L25/075 公开号: 207367968U 公开日: 2018-05-15 授权日: 2018-05-15 分类号: H01L25/075 ; H01L33/00 ; H01L33/48 ; H01L33/54 ; H01L33/56 ; H01L33/58 ; H01L33/62 ; H01L33/64

摘要: 本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率，结构紧凑，光源尺寸小。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻，从而散热能力更好，结温更低，可靠性更高。本实用新型专利解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。

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201790000502.1-传感器封装

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申请人: NEPES株式会社申请日: 2017-01-24 主分类号: H01L25/07 公开号: 208767298U 公开日: 2019-04-19 授权日: 2019-04-19 分类号: H01L23/31 ; H01L23/48 ; H01L23/495 ; H01L23/522 ; H01L23/538 ; H01L25/07 ; H01L25/11

摘要: 本实用新型公开一种传感器封装及其制造方法。根据本实用新型的一实施例的传感器封装包括：半导体芯片，包含暴露在外部的传感器图案；基板，包含容纳所述半导体芯片的容纳部；包封材料，以使所述半导体芯片和所述基板一体化的方式塑封；贯穿布线，在上下方向贯穿所述基板；布线部，使所述半导体芯片和所述贯穿布线电连接，并使所述半导体芯片的所述传感器图案暴露；及外部连接部，与所述贯穿布线的另一侧电连接，且能够与外部电连接。

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201721904369.0-一种IGBT器件

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申请人: 安徽赛腾微电子有限公司

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申请日: 2017-12-29 主分类号: H01L29/06 公开号: 207966999U 公开日: 2018-10-12 授权日: 2018-10-12 分类号: H01L21/28 ; H01L21/331 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/739

摘要: 本实用新型揭示了一种IGBT器件，半导体基板中心区设有元胞区，半导体基板的第一主面设有包围环绕元胞区的终端保护区，半导体基板的第二主面上方设有第二导电类型集电极区，第二导电类型集电极区的上方设有第一导电类型场终止层，元胞区内的元胞设有沟槽结构，元胞沟槽由第一主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的第一导电类型外延层内，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽内壁之间设有绝缘栅氧化层。本实用新型延长了沟道长度，降低了饱和电流，从而提高了Tsc，增加了短路电流安全工作区，此外，本实用新型沟槽下方采用超结结构，可以降低漂移区电阻率，从而降低Vce。同时在器件关断时，因超结结构可以加速载流子抽取速度，从而降低Eoff。

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201821266485.9-一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件

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申请人: 上海和辉光电有限公司

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申请日: 2018-08-07 主分类号: H01L51/50 公开号: 208722924U 公开日: 2019-04-09 授权日: 2019-04-09 分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/46 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/54

摘要: 本实用新型公开了一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件，其特征在于，所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极，在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间设置阻挡层，所述阻挡层的厚度为本实用新型通过在阴极和电子注入层/电子传输层之间设置合适厚度的阻挡层，可以达到阻挡Ag迁移的目的，提升器件的效率以及信赖性。

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200920245017.8-有机光电器件

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申请人: 彩虹集团公司

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申请日: 2009-10-30 主分类号: H01L51/50 公开号: 201629351U 公开日: 2010-11-10 授权日: 2010-11-10 分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/48 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/56

摘要: 本实用新型提供了一种有机光电器件，至少包括阴极、围绕阴极外周的有机功能层，以及围绕在有机功能层外围的阳极，其中所述的阴极为柔性导电纤维状金属材料，阳极为带有透明导电金属氧化物的柔性基底，因此，阴极和阳极具有良好的柔韧性和可加工性，因此，其制得的产品可以做成任意不规则形状，以此满足特殊场合的需求。

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201720913871.1-用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件

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申请人: 艾马克科技公司

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申请日: 2017-07-26 主分类号: H01L21/50 公开号: 207338306U 公开日: 2018-05-08 授权日: 2018-05-08 分类号: H01L21/48 ; H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L23/31 ; H01L23/495

摘要: 用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件。本实用新型关于一种经封装的半导体装置结构，包含晶粒附接垫及配置邻近于晶粒附接垫的多个引线，每个引线有引线底表面和引线末端表面。半导体晶粒连接至晶粒附接垫，导电夹具附接至半导体晶粒的部分与多个引线的部分且包含至少一联结杆。封装本体囊封半导体晶粒、导电夹具、多个引线的部分、至少一联结杆的至少部分及晶粒附接垫的至少部分。每个引线末端表面曝露于封装本体的侧边表面上，至少一联结杆的末端表面曝露于封装本体的外侧。导电层置于每个引线末端表面上但未置于至少一联结杆的末端表面上。所解决技术问题是改善经封装的半导体装置结构的电性效能与可靠度。所达到技术效果为提供改善的经封装的半导体装置结构。

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201721381811.6-一种正装结构的LED芯片

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申请人: 江门市奥伦德光电有限公司

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申请日: 2017-10-24 主分类号: H01L33/32 公开号: 207338422U 公开日: 2018-05-08 授权日: 2018-05-08 分类号: H01L33/00 ; H01L33/06 ; H01L33/12 ; H01L33/20 ; H01L33/32

摘要: 本实用新型公开了一种正装结构的LED芯片，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通过刻蚀P型GaN层到达N型GaN层形成低台阶，所述低台阶上保留有一凸起的GaN小岛，GaN小岛上设置有N电极。本实用新型通过保留低台阶上的一个凸起的GaN小岛，在不增加电极耗料的情况下，避免了N电极打线接触高台阶PN结导致漏电的问题；同时小岛高度跟台阶一样高，再在此基础上做电极，使得P电极和N电极可以采用同一技术制备，提高了焊线效率和良率，芯片可靠性大幅度提升。

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201821713991.8-一种避雷器专用暂态电压二极管

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申请人: 上海音特电子有限公司

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申请日: 2018-10-22 主分类号: H01L29/06 公开号: 208753329U 公开日: 2019-04-16 授权日: 2019-04-16 分类号: H01L23/06 ; H01L23/10 ; H01L23/488 ; H01L23/49 ; H01L29/06 ; H01L29/861

摘要: 本实用新型公开了一种避雷器专用暂态电压二极管，包括管壳、贯穿所述管壳的正极引线和负极引线，还包括与正极引线连接的第一金属片、与负极引线连接的第二金属片、设置在第一金属片和第二金属片之间的N型区和多个绝缘块、以及在绝缘块之间扩散出的多个P型区，所述N型区和P型区之间形成了多个并联的PN结，所述第一金属片和绝缘块之间填充有导电物质。本实用新型达到了反向击穿电流大、封装简便、安全可靠的效果。

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