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搜索 “FLH:(H01L)” 共找到 419907 件专利

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201720646865.4-一种直接板上芯片的LED封装结构
不可售 暂无 PDF全文
申请人: 南昌大学 ; 南昌黄绿照明有限公司 申请日: 2017-06-06 主分类号: H01L25/075 公开号: 207367968U 公开日: 2018-05-15 授权日: 2018-05-15 分类号: H01L25/075 ; H01L33/00 ; H01L33/48 ; H01L33/54 ; H01L33/56 ; H01L33/58 ; H01L33/62 ; H01L33/64
摘要: 本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率，结构紧凑，光源尺寸小。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻，从而散热能力更好，结温更低，可靠性更高。本实用新型专利解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。
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201721904369.0-一种IGBT器件
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 安徽赛腾微电子有限公司 申请日: 2017-12-29 主分类号: H01L29/06 公开号: 207966999U 公开日: 2018-10-12 授权日: 2018-10-12 分类号: H01L21/28 ; H01L21/331 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/739
摘要: 本实用新型揭示了一种IGBT器件，半导体基板中心区设有元胞区，半导体基板的第一主面设有包围环绕元胞区的终端保护区，半导体基板的第二主面上方设有第二导电类型集电极区，第二导电类型集电极区的上方设有第一导电类型场终止层，元胞区内的元胞设有沟槽结构，元胞沟槽由第一主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的第一导电类型外延层内，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽内壁之间设有绝缘栅氧化层。本实用新型延长了沟道长度，降低了饱和电流，从而提高了Tsc，增加了短路电流安全工作区，此外，本实用新型沟槽下方采用超结结构，可以降低漂移区电阻率，从而降低Vce。同时在器件关断时，因超结结构可以加速载流子抽取速度，从而降低Eoff。
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201790000502.1-传感器封装
不可售 已下证 PDF全文
申请人: NEPES株式会社 申请日: 2017-01-24 主分类号: H01L25/07 公开号: 208767298U 公开日: 2019-04-19 授权日: 2019-04-19 分类号: H01L23/31 ; H01L23/48 ; H01L23/495 ; H01L23/522 ; H01L23/538 ; H01L25/07 ; H01L25/11
摘要: 本实用新型公开一种传感器封装及其制造方法。根据本实用新型的一实施例的传感器封装包括：半导体芯片，包含暴露在外部的传感器图案；基板，包含容纳所述半导体芯片的容纳部；包封材料，以使所述半导体芯片和所述基板一体化的方式塑封；贯穿布线，在上下方向贯穿所述基板；布线部，使所述半导体芯片和所述贯穿布线电连接，并使所述半导体芯片的所述传感器图案暴露；及外部连接部，与所述贯穿布线的另一侧电连接，且能够与外部电连接。
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201821266485.9-一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 上海和辉光电有限公司 申请日: 2018-08-07 主分类号: H01L51/50 公开号: 208722924U 公开日: 2019-04-09 授权日: 2019-04-09 分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/46 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/54
摘要: 本实用新型公开了一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件，其特征在于，所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极，在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间设置阻挡层，所述阻挡层的厚度为本实用新型通过在阴极和电子注入层/电子传输层之间设置合适厚度的阻挡层，可以达到阻挡Ag迁移的目的，提升器件的效率以及信赖性。
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200920245017.8-有机光电器件
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 彩虹集团公司 申请日: 2009-10-30 主分类号: H01L51/50 公开号: 201629351U 公开日: 2010-11-10 授权日: 2010-11-10 分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/48 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/56
摘要: 本实用新型提供了一种有机光电器件，至少包括阴极、围绕阴极外周的有机功能层，以及围绕在有机功能层外围的阳极，其中所述的阴极为柔性导电纤维状金属材料，阳极为带有透明导电金属氧化物的柔性基底，因此，阴极和阳极具有良好的柔韧性和可加工性，因此，其制得的产品可以做成任意不规则形状，以此满足特殊场合的需求。
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201821429859.4-一种外延复合栅结构功率器件
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 江苏丽隽功率半导体有限公司 申请日: 2018-08-31 主分类号: H01L21/336 公开号: 208674063U 公开日: 2019-03-29 授权日: 2019-03-29 分类号: H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/49 ; H01L29/51 ; H01L29/78
摘要: 本实用新型公开了一种外延复合栅结构功率器件，涉及半导体技术领域，该功率器件在传统功率器件的基础上采用了外延本征硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化硅和半绝缘多晶硅构成的多层复合栅结构，沟道的不同位置用不同结构栅极，通过创新的结构设计和材料匹配降低了器件沟道区的漏电，降低缺陷密度，从而降低了栅极缺陷和寄生电容，提升了功率器件的产品性能和可靠性。
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201721361940.9-一种高密度紫外光源
不可售 已下证 著录变更 PDF全文
申请人: 中山市光圣半导体科技有限公司 申请日: 2017-10-20 主分类号: H01L25/075 公开号: 207367969U 公开日: 2018-05-15 授权日: 2018-05-15 分类号: H01L25/075 ; H01L33/48 ; H01L33/58 ; H01L33/62 ; H01L33/64
摘要: 本实用新型公开了一种高密度紫外光源，包括光源基板组件(1)和透镜(2)，所述的光源基板组件(1)上间隔设置有若干个能够发光的紫外LED芯片(3)，所述的透镜(2)包括出光面板(21)，所述的出光面板(21)上设有与其一体成型并呈锥台结构的若干根透镜柱(22)，相邻两根透镜柱(22)的底端相接，另外，所述的透镜柱(22)的顶端表面与紫外LED芯片(3)一致并与紫外LED芯片(3)紧密触接，所述的透镜柱(22)的倾斜角度为80°至89°,所述的透镜(2)外侧还设有围住透镜柱(22)并供出光面板(21)外露的围壳(4)。本实用新型结构简单，制造工艺简单，光功率密度高，易于集成使用，同时亦具有很高光分布均匀性。
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201721136809.2-一种U型电力电子串联阀结构
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申请人: 全球能源互联网研究院 ; 国网浙江省电力公司 ; 国家电网公司 申请日: 2017-09-06 主分类号: H01L25/07 公开号: 207303088U 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01 分类号: H01L23/13 ; H01L23/14 ; H01L23/367 ; H01L23/40 ; H01L23/473 ; H01L25/07
摘要: 本实用新型提供一种U型电力电子串联阀结构，该串联阀结构包括由顶层压板、底层压板和贯穿所述顶层压板与底层压板的螺栓及压紧螺母组成的顶压阀架、设于所述顶层压板和底层压板间的阀串和直流电容，所述阀串为两列分别垂直于所述底层压板且相互反向的IGBT阀串；所述两列IGBT阀串顶端与所述顶层压板间分别设有顶端压板；所述两列IGBT阀串顶端分别连接所述直流电容的正负极端子。本实用新型提供的技术方案通过设置在底层压板上的两列相互反向的IGBT阀串实现串联，同时其正负极分别设置在两列阀串的顶端，从而有效缩减了正负极之间的距离，使其距离不再受到阀串长度的影响，进而减小了阀串通电后的杂散电感。
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201821429898.4-一种低压大电流功率VDMOS
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申请人: 江苏丽隽功率半导体有限公司 申请日: 2018-08-31 主分类号: H01L29/06 公开号: 208674123U 公开日: 2019-03-29 授权日: 2019-03-29 分类号: H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/423 ; H01L29/51 ; H01L29/78
摘要: 本实用新型公开了一种低压大电流功率VDMOS，属于半导体器件领域。该低压大电流功率VDMOS，包括衬底、在衬底之上的外延层、在外延层之上的氧化层、在外延层和氧化层之间的P型半导体层和N型半导体层、在氧化层之上的绝缘层、在绝缘层之上的第一金属层、在第一金属层之上的氮化硅钝化层；沟槽贯穿P型半导体层和N型半导体层，沟槽的底部在外延层，沟槽内生长有一层氧化层，沟槽内的氧化层上淀积有多晶硅栅；接触孔贯穿绝缘层、氧化层和N型半导体层，接触孔的一部分在P型半导体层，接触孔的下方为浓P型半导体区，接触孔内为第二金属；具有导通电阻低、电流处理能力强、性能稳定、可靠性高等特点。
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201721182092.5-一种充电桩用长寿命桥堆
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申请人: 东莞市南晶电子有限公司 申请日: 2017-09-15 主分类号: H01L23/02 公开号: 207282479U 公开日: 2018-04-27 授权日: 2018-04-27 分类号: H01L23/02 ; H01L23/12 ; H01L23/29 ; H01L23/367 ; H01L23/48
摘要: 本实用新型涉及电子元件技术领域，具体涉及一种充电桩用长寿命桥堆，包括封装体，所述封装体内部设有容纳腔，从容纳腔伸出至封装体上表面用于连接安装的若干个引脚，所述若干个引脚伸出封装体一端通过螺栓可松紧安装于封装体上表面、位于容纳腔一端分别连接有连接框架，连接框架上安装有导电芯片，若干个导电芯片依次连接有桥接线；所述容纳腔填充有树脂胶，所述树脂胶与封装体之间由内到外依次设有导热层和散热层，所述封装体背离螺栓一面设有一底板，散热层与底板贴合，散热层贴合底板一面开设有散热孔，所述底板开设有通气槽，通气槽贯通于底板；本实用新型适用于充电桩使用，具有高效的散热效果和保护效果，能有效提高使用寿命。
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