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200810003664.8-振荡装置及降低振荡装置产生的振荡信号的相位噪声方法

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申请人: 联发科技股份有限公司

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申请日: 2008-01-17 主分类号: H03B5/12 公开号: 101295962A 公开日: 2008-10-29 分类号: H03B5/02 ; H03B5/04 ; H03B5/12

摘要: 本发明揭露一种振荡装置及降低振荡装置产生的振荡信号的相位噪声方法。所述的振荡装置用来产生振荡信号，所述的振荡装置包含：谐振装置，跨导装置，偏压装置，以及电流补偿装置；谐振装置用来产生振荡信号；跨导装置，耦接至谐振装置，用来向谐振装置提供正反馈环路；偏压装置，耦接至跨导装置，用来向跨导装置提供偏压电流；以及电流补偿装置，耦接于谐振装置与偏压装置之间，用来向偏压装置提供补偿电流以补偿跨导装置的电流降低。本发明提供的具有电路补偿装置的振荡装置及其方法能够降低振荡装置产生的振荡信号的相位噪声，提高振荡装置的性能。

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200710154041.6-射频电压控制振荡器及其设计的方法

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申请人: 联发科技股份有限公司

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申请日: 2007-09-13 主分类号: H03B5/12 公开号: 101291134A 公开日: 2008-10-22 分类号: H03B5/02 ; H03B5/12

摘要: 本发明涉及一种射频电压控制振荡器及其设计方法。射频电压控制振荡器包含有差动振荡器以及串接式电流源。串接式电流源给差动振荡器提供恒定电流偏压。串接式电流源包含有第一已偏压晶体管、第二已偏压晶体管、以及低通滤波器。第一已偏压晶体管连接到差动振荡器。第二已偏压晶体管与第一已偏压晶体管串接。低通滤波器串接于第一与第二已偏压晶体管之间。本发明可以在具有较低系统成本以及复杂度的情况下有效地抵抗相位噪声。

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200310111271.6-压控恒温晶体振荡器

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申请人: 华中科技大学申请日: 2003-10-22 主分类号: H03B5/32 公开号: 1538614A 公开日: 2004-10-20 分类号: H03B5/32 ; H03B5/04

摘要: 本发明公开了一种压控恒温晶体振荡器，特点是采用了新的控温方式和恒温槽结构。采用集成芯片ADN8830控温，它以PWM脉宽调制方式输出一定占空比的方波到开关驱动电路，该占空比由PID补偿电路加以控制，从而控制加热电阻丝的加热功率，以达到控温的目的。恒温槽由槽体及槽盖构成，电阻丝缠绕在恒温槽上，在槽体内开有腔，腔内放置谐振器Y1，在槽体中部一侧面开有槽，其内放置热敏电阻RT，振荡电路的电路板在槽体上，然后用槽盖加以密封。本发明不仅体积小，而且频率稳定度高。

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200410071402.7-温度补偿晶体振荡器

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申请人: 京瓷株式会社申请日: 2004-05-31 主分类号: H03B5/32 公开号: 1574608A 公开日: 2005-02-02 授权日: 2009-03-04 分类号: H03B5/32 ; H03B5/04

摘要: 一种温度补偿晶体振荡器，该温度补偿晶体振荡器，在内部收容晶体振动元件(5)的容器体(1)下面装配有根据晶体振动元件(5)的振动来控制振荡输出的IC元件(7)，并且，在IC元件(7)装配区域，将包括连接在至少晶体振动元件(5)上的多个晶体电极垫、连接在表面装配用外部端子上的振荡输出电极垫、接地电极垫、电源电压电极垫、振荡控制电极垫以及多个写入控制用电极垫的多个电极垫(10)，配置成m行×n列(m，n是2以上自然数)的行列状，且规定IC元件(7)和该电极垫电连接。因此，这种温度补偿晶体振荡器，IC元件接合可靠性优良，即使整体结构小型化也能适应。

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201811518777.1-一种无源晶振驱动调控的方法、装置、设备及存储介质

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申请人: 浪潮（北京）电子信息产业有限公司

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申请日: 2018-12-12 主分类号: H03B5/06 公开号: 109639238A 公开日: 2019-04-16 分类号: H03B5/04 ; H03B5/06

摘要: 本发明公开了一种无源晶振驱动调控的方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，包括：获取服务器系统内无源晶振的当前输出频率；判断所述无源晶振的当前输出频率是否满足预设频率精度范围；若所述当前输出频率不满足所述预设精度范围，则对所述无源晶振的负载电容和/或串联电阻进行动态调整，直至获取到的更新后的输出频率满足预设频率精度范围。本发明所提供的方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，通过对所述无源晶振的串联电阻和负载电容进行动态调整，来确保所述无源晶振的输出频率在所述预设频率精度范围内，提高了服务器整机系统的可靠性。

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201811164641.5-一种振荡电路

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申请人: 杭州宽福科技有限公司

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申请日: 2018-10-06 主分类号: H03B5/04 公开号: 109546967A 公开日: 2019-03-29 分类号: H03B5/04 ; H03B5/12

摘要: 本发明公开了一种振荡电路。一种振荡电路包括第一电阻、第二电阻、第一PNP管、第一NPN管、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NPN管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第三NPN管、第四NMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第四NPN管、第六NMOS管、第四PMOS管和第七NMOS管。电源电压升高时，第一PNP管的发射极电流增加，增加的电流使得第一电阻压降增加，增加的电流会通过第一PNP管的发射极流到地，流过第二电阻上的电流不会增加，使得流过第一NPN管发射极电流不会增加，这样电容的放电电流就不受电源电压影响，即是振荡频率不受电源电压影响。

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00801126.5-具有短路四分之一波成对线的平衡振荡器

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申请人: 皇家菲利浦电子有限公司

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申请日: 2000-06-08 主分类号: H03B5/18 公开号: 1314024A 公开日: 2001-09-19 分类号: H03B5/18 ; H03B7/12

摘要: 一种平衡振荡器包括具有短路四分之一波成对线的频率选择电路以及包括同该频率选择电路连接的一个平衡有源电路。这样一种成本低廉电路可以是U形的,以便只占用一个小的空间,并能容易地集成在一种介质特别是玻璃上。有源电路包括交叉耦合的晶体管差分对。该振荡器可以用多种不同方法调谐。

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01119939.3-射频振荡器

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申请人: 云辰电子开发股份有限公司

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申请日: 2001-07-02 主分类号: H03B5/00 公开号: 1393990A 公开日: 2003-01-29 授权日: 2004-08-04 分类号: H03B5/00 ; H03B5/08

摘要: 一种射频(RF)振荡器，其中包含一负载电路、一匹配电路、第一反馈电路、第二反馈电路及一振荡电路，本发明的RF电路采用多重反馈，以增加电路的振荡稳定性，使工作电压在一定的降压时，仍能正常的工作；另本发明于振荡电路的控制下，在增强主波的强度时，可将电路所产生的谐波控制在一合理的要求范围内。

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00810734.3-电感电容振荡器

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申请人: 新泻精密株式会社申请日: 2000-07-24 主分类号: H03B5/18 公开号: 1364334A 公开日: 2002-08-14 授权日: 2006-01-11 分类号: H03B5/18 ; H03B5/12

摘要: 本发明目的在于,提供即使形成于基片上也能进行振荡的LC振荡器。LC振荡器包括晶体管、电容器及电感元件30。电感元件30包括两个形状大致相同的螺旋形导体120、122,它们形成于半导体基片110的表面,导体120的内圈端头与导体122的外圈端头电气连接。导体120的外圈端头和内圈端头分别连接引出线130、132,与内圈端头连接的引出线132从下层导体122与半导体基片110之间穿过,引出至外圈侧。上层导体120起电感器导体的作用,经由与其两端连接的引出线130、132,与在半导体基片110上形成的LC振荡器的其他构成部件连接。

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201810431737.7-一种衬底动态偏置的LC压控振荡器

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申请人: 东南大学申请日: 2018-05-08 主分类号: H03B5/04 公开号: 108768301A 公开日: 2018-11-06 分类号: H03B5/04 ; H03B5/12

摘要: 本发明公开一种衬底动态偏置的LC压控振荡器，包括交叉耦合对、衬底动态偏置电路、谐振腔、电容阵列和频率调谐模块，其中，交叉耦合对的控制端与衬底动态偏置电路连接，交叉耦合对的输出端分别与谐振腔、电容阵列、频率调谐模块并联；交叉耦合对提供负阻，弥补谐振腔的损耗；电感和电容决定振荡频率，电容阵列选择频带范围，保证所有工艺角下满足频带覆盖要求，变容管负责微调振荡频率，而衬底动态偏置电路则负责实时调节衬底电压，图1中所有连线交叉处均有连接点。此种振荡器结构在稳定振荡后跟随振荡波形自动调节衬底电压，避免晶体管进入线性区，恶化相位噪声，同时对环境因素的影响不敏感。

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