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搜索 “FLH:(H03B)” 共找到 3160 件专利

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200810003664.8-振荡装置及降低振荡装置产生的振荡信号的相位噪声方法
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申请人: 联发科技股份有限公司 申请日: 2008-01-17 主分类号: H03B5/12 公开号: 101295962A 公开日: 2008-10-29 分类号: H03B5/02 ; H03B5/04 ; H03B5/12
摘要: 本发明揭露一种振荡装置及降低振荡装置产生的振荡信号的相位噪声方法。所述的振荡装置用来产生振荡信号，所述的振荡装置包含：谐振装置，跨导装置，偏压装置，以及电流补偿装置；谐振装置用来产生振荡信号；跨导装置，耦接至谐振装置，用来向谐振装置提供正反馈环路；偏压装置，耦接至跨导装置，用来向跨导装置提供偏压电流；以及电流补偿装置，耦接于谐振装置与偏压装置之间，用来向偏压装置提供补偿电流以补偿跨导装置的电流降低。本发明提供的具有电路补偿装置的振荡装置及其方法能够降低振荡装置产生的振荡信号的相位噪声，提高振荡装置的性能。
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200810082383.6-电感电容压控振荡器及可调谐电容单元
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申请人: 联发科技股份有限公司 申请日: 2008-03-04 主分类号: H03B1/00 公开号: 101299592A 公开日: 2008-11-05 分类号: H03B1/00 ; H03B7/06
摘要: 本发明是关于一种电感电容压控振荡器及可调谐电容单元，可调谐电容单元包括接收调谐电压的调谐输入、源极和漏极耦接调谐输入的第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管、一端耦接第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管其中之一的对应栅极，另一端耦接对应的电路节点的第一阻隔电容与第二对阻隔电容、一端耦接第一偏压端与第二偏压端中对应偏压端，另一端耦接第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管其中之一的对应栅极的第一对偏压电阻与第二对偏压电阻。第一偏压端与第二偏压端分别接收彼此对称于预定电压的第一参考电压与第二参考电压。上述可调谐电容单元可使电感电容压控振荡器在宽广的频带内具有固定增益。
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200410083131.7-开关电路及包含该开关电路的压控振荡器
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申请人: 富士通媒体部品株式会社 申请日: 2004-09-30 主分类号: H03B5/02 公开号: 1604458A 公开日: 2005-04-06 分类号: H03B5/02 ; H03B5/12
摘要: 开关电路及包含该开关电路的压控振荡器。一种能够确实地禁用未被选择的电路的压控振荡器和其内的开关电路。在开关电压为低时，第一PNP晶体管导通，电压被施加到与所述第一PNP晶体管的集电极相连的第一电路。第二PNP晶体管被截止，并且没有电压施加给连接到所述第二PNP晶体管的集电极的第二电路。相反，在开关电压为高时，所述第一PNP晶体管截止，不向所述第一电路施加电压，所述第二PNP晶体管导通，并且电压被施加给所述第二电路。
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02800245.8-正交耦合可控振荡器和通信设备
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申请人: 皇家菲利浦电子有限公司 申请日: 2002-01-10 主分类号: H03B5/12 公开号: 1457547A 公开日: 2003-11-19 分类号: H03B5/12 ; H03B5/24
摘要: 一种正交耦合可控振荡器，包括第一与第二电路模块，每个电路模块(100与100’)包括无稳态多谐振荡器电路(103)，第一电路模块(100)与第二电路模块(100’)耦合，而第二电路模块(100’)与第一电路模块(100)交叉耦合，每个电路模块(100’)包括第一与第二压控电流源(101)(VCCS)。在每个电路模块(100与100’)中，每个VCCS与移相器(102)耦合，此移相器用于移动利用VCCS(101)提供给那个电路模块中包括的谐振器(104)的电流(110)的相位。一种通信设备(300)，用于通过双向通信信道(304)通信，包括如前面权利要求(QVCO)之一所述的用于生成周期信号的振荡器(303)、用于从此周期信号和从信道(304)接收的接收信号中生成输出信号的接收模块(301)并且还包括发射模块(302)，用于从此周期信号和输入信号中生成发射信号，以便发射给此信道。
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01122665.X-带功率放大器的电压控制振荡器
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申请人: 松下电器产业株式会社 申请日: 2001-06-28 主分类号: H03B1/00 公开号: 1340909A 公开日: 2002-03-20 授权日: 2004-10-27 分类号: H03B1/00 ; H03B1/02
摘要: 一种大功率型电压控制振荡器(VCO)包括(a)一用于接收控制电压的输入端,(b)一电压控制的振荡部分(VCO部分),对它供给控制电压,(c)一功方,对它供给来自VCO部分的输出,(d)一匹配电路,对它供给来自功率放大器的输出,(e)一输出端,对它供给来自匹配电路的输出,(f)用于独立地调节或检测该VCO部分和该放大器的检测装置,(g)用于防止来自放大器对VCO部分干扰的防干扰装置,(h)用于把由放大器产生的热量放发到外部的一散热片,以及(i)一电路板,在这块电路板上容纳了在从(a)到(h)能描述的单元。这种结构使诸如蜂窝电话之类的器件能以较高的生产率还能减小尺寸被组装起来。
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200510063661.X-带有噪音减少电路的振荡电路
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申请人: 美国博通公司 申请日: 2005-03-30 主分类号: H03B5/02 公开号: 1677838A 公开日: 2005-10-05 授权日: 2009-09-16 分类号: H03B5/02 ; H03B5/08
摘要: 本发明揭露了一种具有噪音减少电路的振荡电路。该噪音减少电路与振荡电路的电流源连接。该噪音减少电路减少来自偏流的偏压噪音分量，以及来自电源电流的电源噪音分量。噪音减少电路连接到电流源的栅极和用于电流源的电源。噪音减少电路包括与电流源的栅极连接的滤波器，其可减少偏压噪音分量。噪音减少电路还包括与电流源的电源连接的衰减电路，其减少电源噪音分量。电流源生成输入信号而用减少的噪音来控制振荡电路。
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201810442660.3-一种对于PVT不敏感的高精度振荡器
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申请人: 北京华大九天软件有限公司 申请日: 2018-05-10 主分类号: H03B5/04 公开号: 108649901A 公开日: 2018-10-12 分类号: H03B5/04 ; H03B5/12
摘要: 本发明提供了一种对于PVT不敏感的高精度振荡器，包括，第一金属‑氧化物半导体场效应管M1、第二金属‑氧化物半导体场效应管M2、第三金属‑氧化物半导体场效应管M3、第一双极型晶体管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第四金属‑氧化物半导体场效应管M4和第一比较器。本发明的对于PVT不敏感的高精度振荡器在电路架构中引入正反温度系数，并且可以近似相互抵消，并且消除输出时钟与电源电压之间的关系，从而在各工艺角，各电源电压下，保证整个温度范围内，都可以输出精度较为精准的时钟。
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200510077044.5-对称化压控振荡器系统
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申请人: 威盛电子股份有限公司 申请日: 2005-06-15 主分类号: H03B1/04 公开号: 1694347A 公开日: 2005-11-09 授权日: 2009-07-15 分类号: H03B1/04 ; H03B5/12
摘要: 本发明是有关于一种对称化压控振荡器系统，其包括一频率调谐电路、一调变电路与该频率调谐电路并接，具有至少一切换电路的一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，其中在确认切换讯号，同时调整频率调谐讯号，频率调谐偏压讯号和频带调谐讯号后，可使切换电路启动频带调谐电路，以配合频率调谐电路，决定预设的输出频率，该输出频率是取决于该核心电路，该频率调谐电路，该调变电路及该频带调谐电路的总电感及总电容。
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03809187.9-一种振荡器和使用这种振荡器的PLL电路
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申请人: 索尼电子有限公司 申请日: 2003-02-25 主分类号: H03B5/24 公开号: 1650511A 公开日: 2005-08-03 授权日: 2009-05-27 分类号: H03B5/24 ; H03B5/04
摘要: 本发明公开了一种具有能通过向控制信号添加一个信号来控制频率的调制功能的振荡器(1083)和使用这种振荡器的PLL电路(108A)，其中所述振荡器形成一个包括其延迟值由一个反相器或缓存器和一个控制信号控制的串联连接的多个延迟级(201－203)、并通过反相形成一个闭环的环(200)，以及包括一个通过向部分所述多个延迟级中的控制信号添加一个调制信号来调制振荡频率的调制功能。
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200510021041.X-一种模拟温度补偿晶体振荡器
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申请人: 电子科技大学 申请日: 2005-06-06 主分类号: H03B5/04 公开号: 1697309A 公开日: 2005-11-16 分类号: H03B5/04 ; H03B5/32
摘要: 一种温度补偿晶体振荡，包括温度传感器、补偿电压发生器和压控晶体振荡器三个部分。补偿电压发生器将温度传感器输出的随温度变化的模拟电压信号转变为补偿电压信号；压控晶体振荡器在温度补偿电压的作用下输出稳定的频率信号。所述补偿电压发生器为一种三次电压发生器，由高温部分、低温部分、线性部分和电压累加电路等四个电路单元组成，前三个电路分别产生高温段、低温段和线性段的补偿电压；将这三个电压信号经电压累加电路叠加在一起，就成为整个压控晶体振荡器的温度补偿电压，该温度补偿电压还能够根据压控晶体振荡器不同的频率特性进行调整。该振荡器具有电路简单、体积小、成本低和适于低集成度的批量生产等优点，尤其适用于移动通信领域中作为移动电话信道频率的基准。
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