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201380051548.2-向量寄存器堆的地址线到元素组的选择性耦合
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申请人: 高通股份有限公司 申请日: 2013-10-09 主分类号: G06F9/30 公开号: 104685465B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 一种方法包含根据选择模式将多个地址线中的第一地址线及所述多个地址线中的第二地址线选择性地耦合到向量寄存器堆的多个元素组中的第一元素组。所述方法还包含经由单个读取端口存取存储于由所述第一地址线选择性地寻址的所述第一元素组内的数据。
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201280051419.9-形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂及包含该添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物
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申请人: 日产化学工业株式会社 申请日: 2012-10-12 主分类号: G03F7/11 公开号: 103907060B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本发明课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。
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201410369570.8-半导体装置
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申请人: 株式会社东芝 申请日: 2014-07-30 主分类号: H01L29/78 公开号: 104916688B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明提供一种实现小型化和低成本化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；在上述第1电极和上述第2电极之间设置的第1导电型的第1半导体区域；在上述第1半导体区域和上述第2电极之间设置的第2导电型的第2半导体区域；在上述第2半导体区域和上述第2电极之间设置、与上述第1半导体区域相比杂质浓度更高的第1导电型的第3半导体区域；经由绝缘膜而与上述第3半导体区域、上述第2半导体区域以及上述第1半导体区域相接的第3电极；在上述第1半导体区域和上述第2电极之间设置的第2导电型的第4半导体区域；以及在上述第4半导体区域和上述第2电极之间设置、与上述第1半导体区域相比杂质浓度更高的第1导电型的第5半导体区域。
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201210256935.7-通讯设备与无线电活动的排程方法
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申请人: 联发科技股份有限公司 申请日: 2012-07-23 主分类号: H04W88/06 公开号: 103582180B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明公开了一种无线电活动的排程方法，适用于具有一第一无线存取技术模块与一第二无线存取技术模块的通讯设备，其中该第一无线存取技术模块与该第二无线存取技术模块共用一无线电接收器，其中该第一无线存取技术模块接入第一无线网络的第一服务小区并操作于连接模式以透过该无线电接收器在该第一无线网络中进行数据传输且该第二无线存取技术模块接入第二无线网络的第二服务小区，该无线电活动的排程方法包括安排该第二无线存取技术模块在该第一无线存取技术模块暂停数据传输的闲置期间进行非时间相关的无线电活动。
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201410479648.1-用于对通信会话的服务质量进行管理的方法和系统
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申请人: 国际商业机器公司 申请日: 2014-09-18 主分类号: H04L12/24 公开号: 104468180B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明涉及用于对通信会话的服务质量进行管理的方法和系统。提供了用于对通信会话的服务质量进行管理的计算机实施的方法、计算机程序产品和计算系统。在一种实施方式中，一种方法可以包括确定与通信会话相关联的网络条件。该方法还可以包括基于该网络条件而针对多种纠错码中的每一个计算一个或多个预期性能属性。该方法还可以包括基于针对多种纠错码中的每一个所计算的一个或多个预期性能属性而针对多种纠错码中的每一个确定体验质量量度。该方法可以进一步包括基于针对多种纠错码中的每一个的体验质量量度而针对通信会话建立多种纠错码之一。
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201180046286.1-图像预测编码装置、图像预测编码方法、图像预测解码装置、图像预测解码方法
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申请人: 株式会社NTT都科摩 申请日: 2011-09-29 主分类号: H04N19/52 公开号: 103119942B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 在一个实施方式的图像预测编码中，从保存在运动信息记录单元中的多个运动信息中，导出包括其构成要素的任意一个的值不同的两个运动信息在内的一个以上的组。使用从该一个以上的组中选择出的组的两个运动信息，通过运动补偿进行图像内的对象区域的预测信号的生成。选择出的组的两个运动信息保存在运动信息记录单元中，以便生成其它区域的预测信号。
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201410427666.5-OAM协议栈编码方法及系统
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申请人: 上海斐讯数据通信技术有限公司 申请日: 2014-08-27 主分类号: H04L29/08 公开号: 104158903B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明提供一种OAM协议栈编码方法。所述OAM协议栈编码方法包括：设置对象定义模板；根据所述对象定义模板对OAM对象进行定义OAM对象相关属性值；根据定义的所述OAM对象相关属性值生成OAM协议栈相关的代码。所述OAM协议栈相关的代码包括：协议栈公用函数源码、协议栈对象的设置函数代码、以及协议栈对象的取值函数代码。本发明的技术方案能够自动实现部分OAM协议栈相关代码的自动生成，不仅大大提供了代码的书写效率，缩短了项目开发周期，而且自动生成的代码的准确性、清晰性也得到了增强，为后期的二次开发及维护提供了极大的便利。
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201110270303.1-一种无线通信系统中反馈ACK/NACK的方法
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申请人: 三星电子株式会社 ; 北京三星通信技术研究有限公司 申请日: 2011-08-15 主分类号: H04L1/16 公开号: 102938691B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明公开了一种无线通信系统中反馈应答ACK/否定应答NACK的方法，该方法包括：用户设备UE根据配置的主分量载波PCC与其中任意一个辅助分量载波SCC的帧结构配置，确定出帧结构配置中在任一无线帧内PCC及SCC子帧中均为上行子帧的公共子帧编号；UE从现有的7种帧结构配置中选择仅有确定出的公共子帧编号对应子帧为上行子帧的配置；UE采用选择出的配置所对应的物理下行数据信道PDSCH与ACK/NACK的定时关系在PCC上将SCC内的PDSCH所对应的ACK/NACK信息反馈给基站。应用本发明所述的反馈ACK/NACK的方法，使得UE能够根据所配置CC的帧结构配置自适应地反馈ACK/NACK，在保证不限制UE功放数目的同时，有效地支持了不同帧结构配置的Band间载波聚合，实现了不同通信系统的共存和性能优化。
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201410476629.3-电饭煲及其加热控制方法
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申请人: 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 ; 美的集团股份有限公司 申请日: 2014-09-17 主分类号: A47J27/00 公开号: 105476440B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明提出一种电饭煲及其加热控制方法，其中，电饭煲包括第一加热线圈和第二加热线圈，第一加热线圈位于电饭煲内锅之下，第二加热线圈与第一加热线圈的底部成预设角度，控制方法包括以N个加热周期控制电饭煲进行加热，其中，N为正整数，在每个加热周期中方法包括以下步骤：在第一时间段控制第二加热线圈以进行加热，以使电饭煲内锅的温度从侧边向底部扩散；在第二时间段控制第一加热线圈进行加热，以使电饭煲内锅的温度由底部向上扩散。本发明的电饭煲及其加热控制方法，可以保持米不会向上漂移，使得电饭煲内锅加热均匀，获得的米饭口感好。
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201410482239.7-一种全局曝光像素单元中的存储电容及其形成方法
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申请人: 上海集成电路研发中心有限公司 ; 成都微光集电科技有限公司 申请日: 2014-09-19 主分类号: H01L27/146 公开号: 104362159B 公开日: 2018-05-01 授权日: 2018-05-01
摘要: 本发明公开了一种全局曝光像素单元中的存储电容，包括不透光的上下极板和中间的介质层，上下极板之间相互绝缘，上极板的侧壁倾斜。本发明还公开这种全局曝光像素单元中的存储电容的形成方法，步骤包括，阱注入，常规多晶刻蚀，MOS电容多晶刻蚀，边墙刻蚀，源漏注入，生成硅化物阻挡层和形成金属硅化物。本发明的MOS电容多晶刻蚀，通过调整刻蚀工艺改变了MOS电容多晶侧壁角度，使其不能留有边墙，实现了MOS电容在多晶侧壁生成不透光的金属硅化物，有效阻挡入射光线的穿透，避免由此造成的存储电容中存储电荷的失真，减少噪点，提高输出图像信号的正确率。本发明适用于4T、5T、6T、8T和12T等各种需要MOS存储电容的全局像元结构中，应用广泛。
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