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搜索 “SQR:(台湾积体电路制造股份有限公司)” 共找到 12705 件专利

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200710145356.4-具有次解析度辅助特征的光掩模与其制造方法
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2007-09-11 主分类号: G03F1/14 公开号: 101281361A 公开日: 2008-10-08
摘要: 一种光掩模与其制造方法。此光掩模包含有透明的基材、主要特征和辅助特征。主要特征包含有一衰减(Attenuating)材料，并被置放在基材上。辅助特征包含有可提供相位移的次解析度(Sub－Resolution)特征。辅助特征与主要特征相距有一距离。辅助特征包含有由基材所定义的沟渠。本发明更包含有制造光掩模的方法。本发明减少光掩模缺陷的可能性。
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200710136966.8-半导体电性针测测试管理系统及方法
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2007-07-26 主分类号: G01R31/00 公开号: 101303382A 公开日: 2008-11-12
摘要: 一种半导体电性针测测试管理系统及方法。从客户端电脑接收控制请求信息，驱动探针驱动装置中的针测单元或晶圆进行校准，将针测单元的探针接触晶圆的特定区域，接着执行电性针测测试。发出至少一个相应于控制请求信息的控制指令来驱动探针驱动装置，进行针测单元或晶圆的校准，将针测单元的探针接触上述晶圆的特定区域，以及接着执行电性针测测试。应用本发明能够直接取得电性针测测试数据和操作电性针测装置，从而提高测试效率。
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201811147914.5-半导体装置的形成方法
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2018-09-29 主分类号: H01L21/336 公开号: 109585296A 公开日: 2019-04-05
摘要: 半导体装置包括：鳍状物，自基板的上表面延伸；栅极堆叠，位于鳍状物上；第一介电材料，位于栅极堆叠的侧壁上；外延区，与栅极堆叠相邻；第二介电材料，位于外延区上与第一介电材料的侧壁上，其中外延区上的第二介电材料的第一部分的厚度，小于外延区上的第二介电材料的第二部分的厚度，其中第二部分比第一部分靠近基板；第三介电材料，位于第二介电材料上；以及导电结构，延伸穿过第三介电材料与第二介电材料以接触外延区。
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200980135346.X-平面热电堆红外线微传感器
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2009-09-07 主分类号: G01J5/12(2006.01) 公开号: 102150021A 公开日: 2011-08-10 授权日: 2013-11-06
摘要: 一种红外线传感器，包含一具有导热率相对较高部分(12)及导热率相对较低部分(14)的散热基材(10)及一具有热接点(18)及冷接点(20)的平面热电偶层(16)，其中热接点(18)位于散热基材的导热率相对较低的部分(14)上。低导热介电层(22)位于热电偶层(16)上方，且具有一通孔(24)通向热接点(18)。一红外线反射层(26)覆盖低导热介电层(22)及通孔(24)的侧壁。一红外线吸收器(30；30’)位于通孔中。此结构形成一平面红外线微传感器，其使用一结构化基材及一介电层，以避免需要任何特定封装。此设计通过聚焦于热电偶而具有较高的灵敏度，且对气体传导及对流有较佳的抗扰性。
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200610003186.1-半导体元件及其形成方法
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2006-02-22 主分类号: H01L23/532(2006.01) 公开号: 1959978A 公开日: 2007-05-09
摘要: 本发明提供半导体元件及其形成方法。一种半导体元件，包括一基底、一金属间介电层覆盖于该基底上、以及一含氮四乙氧基硅烷氧化层或一富含氧四乙氧基硅烷氧化层覆盖于该金属间介电层上。在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比。该金属间介电层包括一超低介电常数层。一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底；沉积一金属间介电层于该基底上；以及沉积一含氮或富含氧四乙氧基硅烷氧化层于该金属间介电层上。
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200810167725.4-混合金属全硅化栅
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2008-09-27 主分类号: H01L27/092(2006.01) 公开号: 101399269A 公开日: 2009-04-01 授权日: 2010-12-08
摘要: 本发明提出了一种混合金属全硅化(FUSI)栅结构的半导体系统和半导体器件。该半导体系统包括PMOS栅结构，所述PMOS栅结构包括第一高k值电介质层、P型金属层、中间禁带金属层和形成在所述P型金属层上的全硅化物层，其中所述中间禁带金属层形成在所述高k值电介质层和所述P型金属层之间。该半导体系统还包括NMOS栅结构，所述NMOS栅结构包括第二高k值电介质层、所述全硅化物层和所述中间禁带金属层，其中所述中间禁带金属层形成与所述高k值电介质和所述全硅化物层之间。
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201210191876.X-离子注入监测装置
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2012-06-11 主分类号: H01J37/317(2006.01) 公开号: 103000481A 公开日: 2013-03-27 授权日: 2015-08-12
摘要: 一种监测晶圆离子分布的装置，包括第一传感器和第二传感器。第一传感器、第二传感器和晶圆置于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内。控制器基于来自第一传感器和第二传感器的感测信号确定晶圆的每个区域的离子剂量。此外，控制器调节离子束的扫描频率或晶圆的移动速度以实现晶圆上的离子均匀分布。本发明还提供了一种离子注入监测装置。
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200710088629.6-调整便携式电子装置功能的方法及便携式电子装置
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2007-03-16 主分类号: H04Q9/00(2006.01) 公开号: 101106829A 公开日: 2008-01-16
摘要: 一种调整便携式电子装置功能的方法及安全系统，安全系统包括主机及远程电子装置。该主机包含：主机接口，用以和该远程电子装置通讯；以及主机控制器，其提供功能设定，用以界定该远程电子装置的应禁止功能，接收该远程电子装置的识别数据，通过该主机接口传送第一优先权指令至该远程电子装置，其中当该远程电子装置执行该第一优先权指令时，即依据该功能设定，使该远程电子装置的该应禁止功能无效。该远程电子装置包含：功能模块，其于该远程电子装置中执行功能；装置接口，用以和该主机通讯；装置控制器，其传送该远程电子装置的识别数据至该主机，通过该装置接口从该主机接收该第一优先权指令，并执行该第一优先权指令使该功能模块无效。
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201410507469.4-使用考虑不同电路拓扑结构生成的输入波形特征化单元
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2014-09-28 主分类号: G06F17/50(2006.01) 公开号: 104765902A 公开日: 2015-07-08 授权日: 2018-04-17
摘要: 本发明提供了一种使用考虑不同电路拓扑结构生成的输入波形特征化单元。在一些实施例中，在通过至少一个处理器所执行的方法中，考虑驱动单元的前级驱动器的不同电路拓扑结构以得到相同输入转换特性，通过至少一个处理器关于输入转换特性来特征化单元。
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201410385383.9-形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法
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申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司 申请日: 2014-08-07 主分类号: H01L45/00(2006.01) 公开号: 104659206A 公开日: 2015-05-27 授权日: 2017-08-08
摘要: 本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾斜角可为大约30度到150度。可通过蚀刻穿过RRAM堆形成多个RRAM结构。
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