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201811012240.8-以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备
不可售 审查中 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2018-08-31 主分类号: G11C16/10 公开号: 109599141A 公开日: 2019-04-09
摘要: 本申请案是针对以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备。描述用于以堆叠存储器裸片传送数据的方法、系统和装置。第一半导体裸片可使用包含表示一个数据位的两个信号电平的二进制符号信号与外部计算装置通信。半导体裸片可堆叠在彼此之上且包含内部互连件(例如，硅穿孔)以中继基于所述二进制符号信号产生的内部信号。所述内部信号可为使用包含三个或更多个电平来表示多于一个数据位的调制方案调制的多符号信号。所述多电平符号信号可简化所述内部互连件。第二半导体裸片可经配置以接收且重新发射所述多电平符号信号到定位于所述第二半导体裸片上方的半导体裸片。
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201810967487.9-用于老化测试的半导体装置结构及其方法
不可售 审查中 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2018-08-23 主分类号: H01L21/66 公开号: 109427606A 公开日: 2019-03-05
摘要: 本申请涉及用于老化测试的半导体装置结构及其方法。提供一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含衬底、从所述衬底的上表面朝上延伸第一高度的电连接结构、以及以电气方式设置在所述衬底的所述上表面上的接触垫。所述接触垫具有焊料可润湿表面，所述焊料可润湿表面具有被配置成支撑具有至少是所述第一高度的两倍的第二高度的焊球的区域。所述半导体装置结构进一步包含熔丝元件，其具有电耦合到所述电连接结构的第一端和电耦合到所述接触垫的第二端。
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201780048451.4-存储器中基于概率数据结构的前瞻修正动作
不可售 审查中 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2017-07-25 主分类号: G06F11/07 公开号: 109564532A 公开日: 2019-04-02
摘要: 本发明包含用于存储器中基于概率数据结构的前瞻修正动作的设备及方法。若干实施例包含存储器及电路系统，所述电路系统经配置以：将与存储于所述存储器中的数据的子集相关联的信息输入到概率数据结构中；及至少部分地使用所述概率数据结构前瞻地确定是否对存储于所述存储器中的数据的所述子集采取修正动作。
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201811122449.X-存储器系统中的多个同时调制方案
不可售 暂无 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2018-09-26 主分类号: G11C7/10 公开号: 109599139A 公开日: 2019-04-09
摘要: 本申请案是针对存储器系统中的多个同时调制方案。描述了用于存储器系统中的多个同时调制方案的方法、系统和装置。本文提供了在常见系统或存储器装置内使用具有至少三个电平的调制方案和使用具有至少两个电平的调制方案传送数据的技术。这种借助多个调制方案的通信可为同时的。经调制数据可通过可对应于特定调制方案的相异信号路径传送到存储器裸片。具有至少三个电平的调制方案的实例可为脉冲振幅调制PAM，且具有至少两个电平的调制方案的实例可为不归零NRZ。
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200680026567.X-形成氮化钛层的方法
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2006-07-19 主分类号: H01L21/205(2006.01) 公开号: 101228617A 公开日: 2008-07-23 授权日: 2011-02-09
摘要: 使用原子层沉积(ALD)形成导电性氮化钛层会产生用于多种电子装置中的可靠结构。通过使用例如TDEAT等含有钛的前体化学品，随后使用氨与一氧化碳的混合物或单独使用一氧化碳，借助原子层沉积将氮化钛沉积到衬底表面上，并进行重复以形成连续沉积的TiN结构，而形成所述结构。此TiN层可用作例如铝或铜等另一导体下方的扩散势垒，或用作铝导体上方的电迁移阻止层。ALD沉积的TiN层具有低电阻率、平滑拓扑、高沉积速率和优良的阶梯覆盖以及电气连续性。
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201210184229.6-用于相变存储器编程的设定脉冲
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2012-06-05 主分类号: G11C13/00(2006.01) 公开号: 102820054A 公开日: 2012-12-12 授权日: 2015-08-26
摘要: 本文揭示的标的物涉及存储器装置，尤其涉及用于为相变存储器编程的单脉冲算法。
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200980120516.7-提供电性隔离的方法及包含所述方法的半导体结构
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2009-05-28 主分类号: H01L21/76(2006.01) 公开号: 102047409A 公开日: 2011-05-04
摘要: 本发明揭示在半导体结构中隔离栅极的方法。在一个实施例中，结合具有大致垂直的侧壁的鳍状物使用间隔物材料来实现隔离。在另一实施例中，使用在所述半导体结构的制造中所利用的各种材料的蚀刻特性来增加有效栅极长度(“Leffective”)及场栅极氧化物。在又一实施例中，在所述半导体结构中形成V形沟槽以增加所述Leffective及所述场栅极氧化物。本发明还揭示通过这些方法形成的半导体结构。
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201811598464.1-形成高纵横比开口的方法、形成高纵横比特征的方法及相关半导体装置
不可售 暂无 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2018-12-26 主分类号: H01L21/762(2006.01)I 公开号: 110021550A 公开日: 2019-07-16
摘要: 本申请案涉及形成高纵横比开口的方法、形成高纵横比特征的方法及相关半导体装置。所述方法包括在低于约0℃的温度下移除电介质材料的一部分以在所述电介质材料中形成至少一个开口。所述至少一个开口包括大于约30:1的纵横比。在低于约0℃的温度下在所述至少一个开口中及所述电介质材料的侧壁上形成保护材料。所述半导体装置包括电介质材料堆叠，所述电介质材料堆叠包括交替电介质材料的至少约80个层体。所述电介质材料堆叠具有基本上垂直侧壁及所述电介质材料堆叠内的至少一个特征，所述至少一个特征包括至少约30:1的纵横比。
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201780057200.2-输入缓冲器中的偏移电压调整的设备
不可售 审查中 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2017-08-08 主分类号: G11C7/10(2006.01) 公开号: 109716435A 公开日: 2019-05-03
摘要: 本发明描述用于提供半导体装置的外部端子的设备。实例设备包含：输入垫；输入缓冲器，其包含第一输入节点及第二输入节点；开关，其在作用状态中将所述第一输入节点与所述第二输入节点耦合且进一步在非作用状态中将所述第一输入节点与所述第二输入节点解耦；控制电路，其提供引起所述开关处在所述作用状态或非作用状态中的信号。所述输入缓冲器的所述第一输入节点通过导电布线耦合到所述输入垫。
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200780012164.4-具有扩大的控制栅极结构的快闪存储器装置及其制造方法
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 美光科技公司 申请日: 2007-03-15 主分类号: H01L21/8247(2006.01) 公开号: 101416299A 公开日: 2009-04-22
摘要: 本发明揭示一种具有扩大的控制栅极结构的快闪存储器装置及其各种制造方法。在一个说明性实施例中，所述装置包含：多个浮动栅极结构(124)，其形成于半导电衬底上方；隔离结构(114)，其位于所述多个浮动栅极结构(124)的每一者之间；以及控制栅极结构(128)，其包括多个扩大的末端部分(130)，所述扩大的末端部分(130)的每一者均位于邻近的浮动栅极结构(128)之间。
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