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“ZFLH:(H01L21/033(2006.01)I)”
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201920458860.8-半导体结构
不可售
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申请人:
长鑫存储技术有限公司
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启信宝
申请日:
2019-04-04
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
209981168U
公开日:
2020-01-21
授权日:
2020-01-21
摘要:
本实用新型涉及一种半导体结构,包括:基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层;位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层,所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分;位于所述缓冲层表面的侧墙层,且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。本实用新型能够改善自对准图形的图形质量,提高半导体生产良率。
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201821685830.2-具有微图案的半导体衬底结构
不可售
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申请人:
长鑫存储技术有限公司
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启信宝
申请日:
2018-10-17
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
209216920U
公开日:
2019-08-06
授权日:
2019-08-06
摘要:
本申请公开了一种具有微图案的半导体衬底结构,包括:半导体衬底,包括数组区域和周边区域;形成于所述半导体衬底表面的目标层;形成于所述目标层的微图案,所述微图案包括数组微图案和周边微图案。
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201880005356.0-用于使用自对准双图案化来切割密集线图案的方法和结构
不可售
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申请人:
长江存储科技有限责任公司
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启信宝
申请日:
2018-10-25
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
110100302B
公开日:
2019-08-06
授权日:
2020-11-17
摘要:
用于形成半导体结构的方法的实施例包括:在衬底上沉积绝缘层,在绝缘层上沉积第一介电质层,并在第一介电质层上形成多个心轴线。所述方法还包括:以第一掩模形成一组或多组不连续心轴线对,其中一组或多组中的每组包括2N个不连续心轴线对、以及间隙线与间隙沟道的N个交叉,其中N是整数。所述方法还包括:在心轴线与不连续心轴线对上沉积第二介电质层,并在心轴线与不连续心轴线对的侧壁上形成介电质间隙壁。所述方法还包括:移除心轴线与不连续心轴线对以形成间隙壁掩模,使用第二掩模形成一组或多组阻挡区,以及利用间隙壁掩模与第二掩模的结合而形成延伸穿过第一介电质层的开口。所述方法也包括:移除间隙壁掩模与第二掩模以暴露出第一介电质层的顶表面,在开口中沉积目标材料,并形成具有顶表面与第一介电质层顶表面位于同一平面的目标线。
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201711262212.7-半导体装置的形成方法
不可售
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申请人:
联华电子股份有限公司
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启信宝
;
福建省晋华集成电路有限公司
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启信宝
申请日:
2017-12-04
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
109872946B
公开日:
2019-06-11
授权日:
2020-12-01
摘要:
本发明公开一种半导体装置的形成方法,其包含以下步骤。提供一个目标层,在该目标层上形成一个掩模结构,该掩模结构包含一个第一掩模层、一个牺牲层以及一个第二掩模层,该第一掩模层与该第二掩模层包含相同的组成,但比例不同。接着,图案化该第二掩模层与该牺牲层,形成多个牺牲图案。然后,形成环绕各该牺牲图案的多个侧壁图案,再将其转移至该第一掩模层中,形成多个不贯穿该第一掩模层的多个开口。最后,以该第一掩模层作为一个蚀刻掩模图案化该目标层,而形成多个目标图案。
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201780060395.6-用于增强性蚀刻和选择性移除的硬掩模膜的化学修饰
不可售
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申请人:
应用材料公司
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启信宝
申请日:
2017-01-26
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
109844906A
公开日:
2019-06-04
摘要:
各个实施方式包括处理硬掩模的方法,所述方法包括形成掺混碳硬掩模,所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中,所述掺混碳硬掩模以金属碳填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模并且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。根据一实施方式,所述方法可进一步包括:从所述掺混碳硬掩模移除所述金属碳填充物的金属成分,以形成多孔碳硬掩模。之后,可移除所述多孔硬掩模。在一实施方式中,所述金属碳填充物的金属成分可包括:使处理气体流进腔室,以使所述金属碳填充物的金属成分挥发。
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201811094410.1-半导体结构以及半导体结构的制造方法
不可售
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申请人:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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启信宝
;
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
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启信宝
申请日:
2018-09-19
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
110931354A
公开日:
2020-03-27
摘要:
本发明提供一种半导体结构以及半导体结构的制造方法,其中,制造方法包括:图形化掩膜叠层后,形成第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层;对第二掩膜层进行灰化处理,使第二掩膜层的材料回流覆盖第一掩膜层侧壁,在第一掩膜层侧壁形成覆盖层;然后以覆盖层和第一掩膜层为掩膜,刻蚀待刻蚀层以在待刻蚀层内形成通孔。本发明能够增加形成通孔所需的光刻工艺窗口和掩膜刻蚀工艺窗口,减小形成通孔的工艺难度,改善形成的通孔质量。
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201711326148.4-一种图案化方法
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申请人:
联华电子股份有限公司
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启信宝
;
福建省晋华集成电路有限公司
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启信宝
申请日:
2017-12-13
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
109920730B
公开日:
2019-06-21
授权日:
2021-04-20
摘要:
本发明公开一种图案化方法。首先提供一基底,包含阵列区和周边区。在基底上形成一材料层,完全覆盖阵列区和周边区。形成第一图案化掩模层,并以第一图案化掩模层进行第一自对准双重图案化制作工艺,将覆盖阵列区和周边区的材料层分别图案化成第一阵列图案和第一周边图案。形成第二图案化掩模层并以第二图案化掩模层进行第二自对准双重图案化制作工艺,将第一阵列图案图案化成第二阵列图案。形成第三图案化掩模层并以第三图案化掩模层为蚀刻掩模蚀刻移除部分第一周边图案,将第一周边图案图案化成第二周边图案。后续,以第二阵列图案和第二周边图案为蚀刻掩模蚀刻其下方的图案转移层,将第二阵列图案和第二周边图案的图案同时转移至图案转移层中。
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201910653943.7-使用等离子体改性的介电材料的选择性循环干式蚀刻工艺
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申请人:
ASMIP控股有限公司
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申请日:
2019-07-19
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
110739211B
公开日:
2020-01-31
授权日:
2021-07-23
摘要:
在一些实施例中,通过化学原子层蚀刻在反应室中相对于衬底的第二表面选择性循环(任选地干式)蚀刻所述衬底的第一表面包含使用第一等离子体形成改性层并蚀刻所述改性层。所述第一表面包含碳和/或氮化物,而所述第二表面不包含碳和/或氮化物。
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201811326518.9-半导体装置的制造方法
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申请人:
南亚科技股份有限公司
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启信宝
申请日:
2018-11-08
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
110473776B
公开日:
2019-11-19
授权日:
2021-09-21
摘要:
本发明公开了一种半导体装置的制造方法,包括在具有第一及第二区域的基板上形成第一图案化标的层,第一图案化标的层具有沿第一方向延伸的第一条纹及第一开口;依序形成下硬遮罩层及中硬遮罩层并覆盖于第一图案化标的层;在中硬遮罩层上形成图案化上硬遮罩层,图案化上硬遮罩层具有沿着第二方向延伸的第二条纹及第二开口,第二开口暴露中硬遮罩层的一部分;蚀刻中硬遮罩层的暴露部分以形成第三开口,第三开口暴露出下硬遮罩层的一部分;蚀刻下硬遮罩层的暴露部分及其下的第一图案化标的层,以形成具有位于第一区域上的圆角化图案的第二图案化标的层。本发明半导体装置的制造方法技术简单、成本效益较好。
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201880029134.2-双重间隔物浸没式光刻三重图案化流程和方法
不可售
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申请人:
超威半导体公司
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企查查
天眼查
启信宝
申请日:
2018-04-27
主分类号:
H01L21/033(2006.01)I
公开号:
110582837A
公开日:
2019-12-17
摘要:
描述了一种用于制造金属图案的系统和方法。在第一多晶硅层上形成多个心轴,所述第一多晶硅层在第一氧化物层的顶部上。每个心轴在第一氮化物的顶部上使用第二多晶硅。在所述心轴的侧壁上形成间隔物氧化物和间隔物氮化物以形成双重间隔物。沉积第二氧化物层,随后去除层 直到到达所述心轴中的所述第一氮化物为止。基于多种可用方法中的选定方法来蚀刻区域,直到蚀刻所述第一氧化物层从而提供用于所述金属图案的沟槽为止。去除所述第一氧化物层上的剩余材料,随后将金属沉积在所述第一氧化物层中的所述沟槽中。
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