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搜索 “ZFLH:(H01L21/336(2006.01))” 共找到 6376 件专利

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201190000059.0-一种半导体结构
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申请人: 北京北方华创微电子装备有限公司 申请日: 2011-08-25 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 203038895U 公开日: 2013-07-03 授权日: 2013-07-03
摘要: 本实用新型提供了一种半导体结构，该半导体结构包括SOI衬底、栅极结构、侧墙和金属层，其中：所述SOI衬底包括SOI层和BOX层；所述栅极结构形成在所述SOI层之上；所述金属层形成在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内，该金属层与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触，并延伸至所述BOX层内；所述金属层与所述BOX层之间存在侧墙，所述金属层与所述SOI衬底的隔离区之间也存在侧墙。本实用新型提供的制造方法和半导体结构使得半导体器件在工作时金属层与SOI衬底的体硅层之间的电容减小，有利于提升半导体器件的性能。
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201190000061.8-一种半导体结构
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 中国科学院微电子研究所 申请日: 2011-04-18 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 202601574U 公开日: 2012-12-12 授权日: 2012-12-12
摘要: 本实用新型提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括，栅极堆叠，所述栅极堆叠形成于有源区上且暴露剩余的所述有源区，还包括：第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层嵌于所述有源区中，所述第一接触层至少覆盖部分所述有源区，所述第二接触层接于所述第一接触层；与所述第一接触层相比，所述第二接触层更远离所述栅堆叠，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数，所述第一接触层的材料包括TiSi、PtSi、CoSi2中的一种或其组合。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构的可靠性。
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201190000067.5-一种半导体结构
不可售 已下证 PDF全文
申请人: 中国科学院微电子研究所 申请日: 2011-04-18 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 202601575U 公开日: 2012-12-12 授权日: 2012-12-12
摘要: 本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；栅极堆叠，其形成于所述半导体衬底上；源/漏区，其形成于半导体衬底中；层间介质层，其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区；接触孔，其贯穿所述层间介质层并延伸到所述源/漏区内部；接触金属，其填充所述接触孔；其中，所述接触金属延伸入所述源/漏区内的部分与源/漏区之间在侧壁和底部存在共形的金属硅化物层；其中金属硅化物层与所述源/漏区之间存在共形的非晶化物层。本实用新型通过刻蚀源/漏区，使其暴露区域包括底部以及侧壁，增大了接触孔中接触金属和源/漏区的接触面积，从而减小了接触电阻；采用选择性沉积的方式形成非晶化物，有效地消除了由非晶化离子注入所引起的末端缺陷。
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202021805759.4-一种超结型半导体器件
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申请人: 上海维安半导体有限公司 申请日: 2020-08-25 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 213483709U 公开日: 2021-06-18 授权日: 2021-06-18
摘要: 本实用新型涉及半导体器件的制造技术领域，尤其涉及一种超结型半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，半导体衬底上设有多层超结结构；每层超结结构包括具有一第一导电类型杂质的外延层和具有一第二导电类型杂质的填充区交替排列；多层超结结构的杂质浓度自下而上依次增加。本实用新型技术方案具有如下优点或有益效果：提出了一种新型的具有多层次超结结构的半导体器件，可以避免采用深沟槽工艺一次性刻槽引起的明显EMI问题，增强产品的抗电磁干扰能力，此外，本实用新型的超结器件生产成本较低。
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201190000076.4-晶体管
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申请人: 中国科学院微电子研究所 申请日: 2011-02-24 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 202633240U 公开日: 2012-12-26 授权日: 2012-12-26
摘要: 本实用新型涉及一种晶体管。根据本实用新型的晶体管，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少两个位错，其中源区包含第一数量的位错，漏区包含第二数量的位错，所述第一数量不同于第二数量。
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201721676195.7-场效应晶体管的隔离结构
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2017-12-06 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 207587695U 公开日: 2018-07-06 授权日: 2018-07-06
摘要: 本实用新型提供一种场效应晶体管的隔离结构，包括：半导体衬底、介质层、金属层、绝缘层、接触窗以及接触电极。半导体衬底中具有场效应晶体管区域以及环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽。介质层形成于环形沟槽侧壁及底部。金属层填充于环形沟槽，其上层部分被去除，以形成环形凹槽。绝缘层填充于环形凹槽，以掩埋金属层。接触窗显露环形沟槽中的金属层。接触电极填充于接触窗并与金属层接触。本实用新型采用新型的隔离结构，场效应晶体管之间无需传统的浅沟槽隔离结构也能防止各个晶体管之间的漏电，并可有效提高防漏电性能。相比于传统的浅沟槽隔离结构，本实用新型所占面积大大减小，可有效提高场效应晶体管的集成密度。
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201190000097.6-半导体器件
不可售 无权失效 PDF全文
申请人: 中国科学院微电子研究所 申请日: 2011-01-27 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 202534635U 公开日: 2012-11-14 授权日: 2012-11-14
摘要: 一种半导体器件，所述半导体器件包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅堆叠结构，所述硅基底的晶面指数为{100}；形成层间介质层，覆盖所述硅基底的表面；在所述层间介质层和/或栅堆叠结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>且垂直于所述栅堆叠结构的延伸方向；在所述第一沟槽中填充第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层。本实用新型以较简单的工艺在沟道宽度方向引入张应力，提高了器件的响应速度，改善了器件性能。
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201190000074.5-晶体管
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申请人: 中国科学院微电子研究所 申请日: 2011-02-21 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 203573956U 公开日: 2014-04-30 授权日: 2014-04-30
摘要: 本实用新型涉及一种晶体管。本实用新型的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含在平行于衬底表面的方向上排列的多个位错；位于所述源区和漏区上方的含硅外延半导体层；以及位于所述外延半导体层上方的金属硅化物层。
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201821235432.0-一种用于锂电池的电池保护MOS管生产装置
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申请人: 深圳市汤诚科技有限公司 申请日: 2018-08-02 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 208422860U 公开日: 2019-01-22 授权日: 2019-01-22
摘要: 本实用新型公开了一种用于锂电池的电池保护MOS管生产装置，包括安装架、磁性底座和电焊枪，所述安装架顶部外壁通过螺栓固定有上桌板，所述上桌板顶部外壁通过螺栓固定有照明灯座，且照明灯座顶部外壁通过螺栓固定有第一万向管，所述第一万向管远离照明灯座的一端通过螺栓固定有照明灯，所述上桌板顶部外壁通过螺栓固定有连接座，所述连接座一端通过螺栓固定有第二万向管。本实用新型使得在生产焊接过程中较小的金属零件会被磁板吸附在便面，不会发生滚动丢失情况，提高了装置的实用性，能够将焊接情况进行放大，同时对焊接时产生的紫外线进行防护，使得使用起来更加方便舒适，提高了装置的便捷性。
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202023002477.3-超级结
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申请人: 安徽赛腾微电子有限公司 ; 上海赛鹰微电子有限公司 申请日: 2020-12-11 主分类号: H01L21/336(2006.01) 公开号: 213519864U 公开日: 2021-06-22 授权日: 2021-06-22
摘要: 本实用新型提供一种超级结，该超级结包括：半导体衬底、第二导电类型掺杂区和第二外延层，所述半导体衬底表面形成有具有第一导电类型掺杂的第一外延层，所述第二导电类型掺杂区和所述第二外延层为第二导电类型掺杂，所述第二导电类型掺杂区位于所述第二外延层和所述半导体衬底之间，且所述第二导电类型掺杂区和所述第二外延层垂直对准，所述第二导电类型掺杂区和所述第二外延层形成的区域与所述第一外延层交错排列。通过本实用新型提供的超级结，能够降低工艺成本，减弱工艺难度，提高器件的可靠性。
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