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搜索 “ZFLH:(H01L27/108(2006.01)I)” 共找到 146 件专利

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201921153393.4-存储器
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申请人: 福建省晋华集成电路有限公司 申请日: 2019-07-22 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 210110766U 公开日: 2020-02-21 授权日: 2020-02-21
摘要: 本实用新型提供了一种存储器。通过将节点接触部进一步延伸至衬底中，以和有源区电性连接，从而增加了节点接触部和有源区之间的接触面积，并使得节点接触部可以和高离子浓度的区域实现电性连接，基于此，即使在节点接触部中形成有空隙，仍能够维持节点接触部的连接性能。而针对允许有空隙的节点接触部而言，其制作难度更大、制备过程更快，相应的可以有效提升存储器的产能。
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201821545366.7-半导体器件
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2018-09-20 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 208923135U 公开日: 2019-05-31 授权日: 2019-05-31
摘要: 本实用新型提供一种半导体器件，其半导体衬底中形成有沿第二方向延伸的第二沟槽，且第二沟槽两侧交错排布有U型鳍片，所述U型鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述U型鳍片的竖直鳍片部的顶端部中，第二源/漏区形成在所述U型鳍片的水平鳍片部中，栅极环绕在所述竖直鳍片部上，埋入式导线填充在所述第二沟槽中，由此使得所述U型鳍片中的两个第一源/漏区分、两个栅极以及一个第二源/漏区形成了两个环栅晶体管，有利于增加栅极对沟道的控制力，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度；且由于第二沟槽两侧的U型鳍片交错排布，能改善相邻的第二源/漏区之间的耦合效应，提高器件性能。
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201920848433.0-存储器
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2019-06-06 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 209785939U 公开日: 2019-12-13 授权日: 2019-12-13
摘要: 本实用新型涉及一种存储器，所述存储器包括：第一基底，所述第一基底包括第一衬底、形成于所述第一衬底正面上的存储阵列以及覆盖所述存储阵列的第一介质层；第二基底，所述第二基底包括第二衬底、形成于所述第二衬底正面上的逻辑电路以及覆盖所述逻辑电路的第二介质层 ；金属散热线，形成于所述第一介质层和/或第二介质层内；所述第一基底和第二基底堆叠键合连接。所述存储器的存储密度提高。
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201920432512.3-一种半导体结构
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2019-03-29 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 209544351U 公开日: 2019-10-25 授权日: 2019-10-25
摘要: 本实用新型提出一种半导体结构，涉及半导体生产技术领域，该半导体结构包括堆叠为一体的第一晶圆和第二晶圆；其中，所述第一晶圆包括电容区域和非电容区域；所述第二晶圆包括阵列区域和控制区域；所述电容区域和所述阵列区域相对应，所述非电容区域和控制区域相对应； 所述第一晶圆和第二晶圆电连接。本实用新型提供的技术方案中的半导体结构由两个晶圆堆叠而成，相比较现有技术，可以提高半导体结构在晶圆上的密度和生产速度。
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201821621812.8-一种半导体结构
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2018-09-30 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 209029380U 公开日: 2019-06-25 授权日: 2019-06-25
摘要: 本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底内，以隔离出多个间隔排布的有源区；若干埋入式栅极结构，位于所述有源区内，所述埋入式栅极结构具有第一掺杂区和第二掺杂区；位线结构，位于所述第一掺杂区上方；电容接触节点结构，位于所述第二掺杂区上方；绝缘结构，位于所述浅沟槽隔离结构上方，用以隔离相邻所述电容接触节点结构。应用本实用新型实施例，提高电容接触节点结构制作的良率，从而避免了现有技术中蚀刻存储节点之间较厚的多晶硅层，导致刻蚀后的图形容易产生偏差，从而影响电路的导电特性的问题。
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201821922000.7-半导体器件
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2018-11-21 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 209119102U 公开日: 2019-07-16 授权日: 2019-07-16
摘要: 本公开提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底，所述衬底上设有沟槽隔离结构；有源区，设置于所述沟槽隔离结构之间，包括源极区域、漏极区域，所述源极区域、所述漏极区域均包括所述第一导电类型的第一掺杂区域和第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述第一掺杂区域的上表层；埋入式字线结构，所述埋入式字线结构设置于所述源极区域和所述漏极区域之间并贯穿所述第二掺杂区域。本公开提供的半导体器件具有较窄的LDD区域宽度和较高的LDD区域活化离子浓度。
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201821957856.8-半导体器件
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2018-11-27 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 209216973U 公开日: 2019-08-06 授权日: 2019-08-06
摘要: 本实用新型提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有源区、隔离结构及埋入式字线，隔离结构包括第一隔离结构及第二隔离结构；形成于埋入式字线上的第一绝缘层；形成于第二隔离结构上的第二绝缘层；位线；形成于埋入式字线上的第一绝缘层上的第一隔离介质层；形成于第一隔离介质层上的第二隔离介质层；形成于字线另一侧的有源区上的电容接触窗。本实用新型通过沉积工艺结合刻蚀工艺可实现电容接触孔及位线尺寸的大小可控，且可有效减少形成电容接触孔及位线的光刻曝光次数，降低制造成本，最后，形成的电容接触窗及位线导电性能也更优。
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201821442890.1-存储器
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2018-09-04 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 209045552U 公开日: 2019-06-28 授权日: 2019-06-28
摘要: 本实用新型提供了一种存储器。所提供的存储器包括形成于衬底上并与衬底中的多个第二源/漏区一一对应连接的多个存储节点接触，每个所述存储节点接触包括在对应于第二源/漏区的衬底表面沿远离衬底表面方向依次叠加的金属硅化物接触和导电材料层，所述多个存储节点接触之间相互隔离。在去除所述多个存储节点接触之间残留的导电材料时，金属硅化物接触可以减小或防止衬底表面由于过刻蚀损伤。
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201921025393.6-存储装置、凹陷沟道阵列晶体管
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2019-07-03 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 209822642U 公开日: 2019-12-20 授权日: 2019-12-20
摘要: 本公开提供了一种存储装置和凹陷沟道阵列晶体管，属于存储技术领域。该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极 绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数。该凹陷沟道阵列晶体管能够提高阈值电压的均一性。
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201920832133.3-存储结构
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申请人: 长鑫存储技术有限公司 申请日: 2019-06-04 主分类号: H01L27/108(2006.01)I 公开号: 210272356U 公开日: 2020-04-07 授权日: 2020-04-07
摘要: 一种存储结构，包括：位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极，且所述两个第二凹槽分别位于第二抗刻蚀介电层两侧，所述绝缘层的表面低于第二凹槽的底部表面；位于第一抗刻蚀介电层和第二抗刻蚀介电层之间的绝缘层上的第三凹槽，所述第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面以及第二凹槽两侧的源极和漏极侧壁的部分表面的，所述第三凹槽与相应的第二凹槽连通；位于所述第二凹槽和第三凹槽中栅极结构。本实用新型的存储结构减小了漏电流的大小。
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